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ZXTN25100DZTA Bestand und Preise

Diodes Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 4460mW Automotive 4Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
0.38
ZXTN25100DZTA
Das gezeigte Bild ist nur eine Darstellung. Genaue Spezifikationen sind dem Produktdatenblatt zu entnehmen.
ZXTN25100DZTA Diodes
Diodes
  • Hersteller:
    Diodes
  • Hersteller-Nr:
    ZXTN25100DZTA
  • AiPCBA-Teilenummer:
    CM28730104
  • Preis (EUR):
    0.38
  • AiPCBA-Lager:
    950 Stk
  • Verfügbarkeit:
    317 Stück auf Lager
    Lagerbestand des Lieferanten, muss mit dem Verkauf bestätigt werden
  • Produktkategorie:
    Bipolartransistor
  • Produktbeschreibung:
    Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 4460mW Automotive 4Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
  • Dokumentation: RoHS-konform 3D-Modell
ZXTN25100DZTA Kaufen ZXTN25100DZTA Bestand & Preis aktualisiert um 2024-07-11 03:50:22
  • Aktualisieren
    Teilenummer: ZXTN25100DZTA
    AiPCBA P/N: CM28730104
    Hersteller: Diodes
    Preis
    0.38
    Gesamt: 1,267 Stk
    MOQ: 1
    Versand von: Lagerhaus Hongkong
    Versanddatum: 2024/07/16 (erwartet)
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    Kürzlich haben wir festgestellt, dass Kriminelle vorgaben, AiPCBA zu sein, um zu betrügen oder zu versuchen, Fälschungen zu verkaufen ausgefallene Komponenten zu günstigen Preisen.
    AiPCBA hat ein Komponentenprüflabor im Jahr 2021 mit dem Ziel, qualitätsgesicherte Komponenten bereitzustellen.
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    ZXTN25100DZTA Spezifikationen Ähnliche Produkte anzeigen (99+)
    TYP
    BESCHREIBUNG
    AUSWÄHLEN
    Hersteller
    Diodes
    Kategorie
    Bipolartransistor
    3D-Modell
     3D-Modell
    Montagesmethoden
    Surface Mount
    Anzahl von Pins
    4 Pin
    Verpackung
    SOT-89-3
    Frequenz
    175 MHz
    Polarität
    NPN
    Verlustleistung
    4460 mW
    Verstärkungs-Bandbreite-Produkt
    175 MHz
    Durchschlagsspannung (Kollektor-Emitter)
    100 V
    Kontinuierlicher Sammlerstrom
    2.5A
    hFE Min
    300 @10mA, 2V
    hFE Max
    300
    Eingangsleistung (max.)
    2.4 W
    Betriebstemperatur (max.)
    150 ℃
    Betriebstemperatur (Min)
    55 ℃
    Verlustleistung (max)
    4460 mW
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    ZXTN25100DZTA Datenblatt-PDF
    ZXTN25100DZTA Datenblatt PDF
    7 Pages, 507 KB
    2015/05/29
    Ansicht
    ZXTN25100DZTA Anderes Datenblatt
    199 Pages, 884 KB
    2017/09/01
    Ansicht
    ZXTN25100DZTA Verpackung
    8 Pages, 410 KB
    2007/10/25
    Ansicht
    Größe & Paket
    TYP
    BESCHREIBUNG
    Länge
    4.6 mm
    Breite
    2.6 mm
    Höhe
    1.6 mm
    Betriebstemperatur
    -55℃ ~ 150℃ (TJ)
    Produktlebenszyklus
    Active
    Verpackungsmethoden
    Tape & Reel (TR)
    Umwelt
    TYP
    BESCHREIBUNG
    RoHS-Standard
    RoHS Compliant
    Bleifreier Status
    Lead Free
    REACH SVHC-Standard
    No SVHC
    Exportklassifikationen
    TYP
    BESCHREIBUNG
    ECCN Code
    EAR99
    Funktionsübersicht
    • The versatility of this NPN ZXTN25100DZTA GP BJT from Diodes Zetex makes it capable of being use as either a switch or amplifier in your circuit. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 4460 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 100 V and a maximum emitter base voltage of 7 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

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    • - Sorgfältig geprüft und verpackt von AiPCBA
      - Vakuumverpackung
      - Antistatische Verpackung
      - Antivibrationsschaum
    • - Einkommensqualitätskontrolle (IQC), über 800 qualifizierte Vertriebspartner.
      - 500 m² Labor für fortschrittliche Komponententests, Fälschungserkennung, RoHS-konform usw.
      - 2000 m² digitales Komponentenlager, konstante Temperatur und Luftfeuchtigkeit
      - Entkapselungsinspektion
      - Röntgeninspektion
      - XRF-Inspektion
      - Elektrische Prüfung
      - Oberflächenprüfung
    • - Substandard- und Fälschungserkennung
      - Fehleranalyse
      - Elektrische Prüfung
      - Lebenszyklus- und Zuverlässigkeitstests
      - AiPCBA hat 2021 ein Komponententestlabor eingerichtet
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