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STGWA40H120DF2 Bestand und Preise

ST Microelectronics Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube
6.35
STGWA40H120DF2
Das gezeigte Bild ist nur eine Darstellung. Genaue Spezifikationen sind dem Produktdatenblatt zu entnehmen.
STGWA40H120DF2 ST Microelectronics
ST Microelectronics
  • Hersteller:
    ST Microelectronics
  • Hersteller-Nr:
    STGWA40H120DF2
  • AiPCBA-Teilenummer:
    CM40891233
  • Preis (EUR):
    6.35
  • AiPCBA-Lager:
    200 Stk
  • Verfügbarkeit:
    133 Stück auf Lager
    Lagerbestand des Lieferanten, muss mit dem Verkauf bestätigt werden
  • Produktkategorie:
    IGBT-Transistor
  • Produktbeschreibung:
    Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube
  • Dokumentation: RoHS-konform 3D-Modell
STGWA40H120DF2 Kaufen STGWA40H120DF2 Bestand & Preis aktualisiert um 2024-07-04 03:50:22
  • Aktualisieren
    Teilenummer: STGWA40H120DF2
    AiPCBA P/N: CM40891233
    Hersteller: ST Microelectronics
    Preis
    6.35
    Gesamt: 333 Stk
    MOQ: 1
    Versand von: Lagerhaus Hongkong
    Versanddatum: 2024/07/09 (erwartet)
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    Kürzlich haben wir festgestellt, dass Kriminelle vorgaben, AiPCBA zu sein, um zu betrügen oder zu versuchen, Fälschungen zu verkaufen ausgefallene Komponenten zu günstigen Preisen.
    AiPCBA hat ein Komponentenprüflabor im Jahr 2021 mit dem Ziel, qualitätsgesicherte Komponenten bereitzustellen.
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    STGWA40H120DF2 Spezifikationen Ähnliche Produkte anzeigen (99+)
    TYP
    BESCHREIBUNG
    AUSWÄHLEN
    Hersteller
    ST Microelectronics
    Kategorie
    IGBT-Transistor
    3D-Modell
     3D-Modell
    Montagesmethoden
    Through Hole
    Anzahl von Pins
    3 Pin
    Verpackung
    TO-247-3
    Verlustleistung
    468000 mW
    Durchschlagsspannung (Kollektor-Emitter)
    1200 V
    Rücklaufzeit
    488 ns
    Eingangsleistung (max.)
    468 W
    Betriebstemperatur (max.)
    175 ℃
    Betriebstemperatur (Min)
    -55 ℃
    Verlustleistung (max)
    468000 mW
    Ähnliche Produkte anzeigen
    STGWA40H120DF2 Datenblatt-PDF
    STGWA40H120DF2 Datenblatt PDF
    17 Pages, 816 KB
    2016/06/30
    Ansicht
    STGWA40H120DF2 Anwendungshinweis
    35 Pages, 2459 KB
    2013/02/21
    Ansicht
    Größe & Paket
    TYP
    BESCHREIBUNG
    Betriebstemperatur
    -55℃ ~ 175℃ (TJ)
    Produktlebenszyklus
    Active
    Verpackungsmethoden
    Tube
    Umwelt
    TYP
    BESCHREIBUNG
    RoHS-Standard
    RoHS Compliant
    Bleifreier Status
    Lead Free
    Exportklassifikationen
    TYP
    BESCHREIBUNG
    ECCN Code
    EAR99
    Funktionsübersicht
    • You can use this STGWA40H120DF2 IGBT transistor from STMicroelectronics as an electronic switch. Its maximum power dissipation is 468000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 1200 V. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This device is made with field stop|trench technology. It is made in a single configuration. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C.

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    • - Sorgfältig geprüft und verpackt von AiPCBA
      - Vakuumverpackung
      - Antistatische Verpackung
      - Antivibrationsschaum
    • - Einkommensqualitätskontrolle (IQC), über 800 qualifizierte Vertriebspartner.
      - 500 m² Labor für fortschrittliche Komponententests, Fälschungserkennung, RoHS-konform usw.
      - 2000 m² digitales Komponentenlager, konstante Temperatur und Luftfeuchtigkeit
      - Entkapselungsinspektion
      - Röntgeninspektion
      - XRF-Inspektion
      - Elektrische Prüfung
      - Oberflächenprüfung
    • - Substandard- und Fälschungserkennung
      - Fehleranalyse
      - Elektrische Prüfung
      - Lebenszyklus- und Zuverlässigkeitstests
      - AiPCBA hat 2021 ein Komponententestlabor eingerichtet
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