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STGW60H65F Bestand und Preise

ST Microelectronics Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 360000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube
5.90
STGW60H65F
Das gezeigte Bild ist nur eine Darstellung. Genaue Spezifikationen sind dem Produktdatenblatt zu entnehmen.
STGW60H65F ST Microelectronics
ST Microelectronics
  • Hersteller:
    ST Microelectronics
  • Hersteller-Nr:
    STGW60H65F
  • AiPCBA-Teilenummer:
    CM34302566
  • Preis (EUR):
    5.90
  • AiPCBA-Lager:
    903 Stk
  • Verfügbarkeit:
    375 Stück auf Lager
    Lagerbestand des Lieferanten, muss mit dem Verkauf bestätigt werden
  • Produktkategorie:
    IGBT-Transistor
  • Produktbeschreibung:
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 360000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube
  • Dokumentation: RoHS-konform 3D-Modell
STGW60H65F Kaufen STGW60H65F Bestand & Preis aktualisiert um 2024-07-04 03:50:22
  • Aktualisieren
    Teilenummer: STGW60H65F
    AiPCBA P/N: CM34302566
    Hersteller: ST Microelectronics
    Preis
    5.90
    Gesamt: 1,278 Stk
    MOQ: 1
    Versand von: Lagerhaus Hongkong
    Versanddatum: 2024/07/09 (erwartet)
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    Erinnerungen zur Betrugsprävention
    Kürzlich haben wir festgestellt, dass Kriminelle vorgaben, AiPCBA zu sein, um zu betrügen oder zu versuchen, Fälschungen zu verkaufen ausgefallene Komponenten zu günstigen Preisen.
    AiPCBA hat ein Komponentenprüflabor im Jahr 2021 mit dem Ziel, qualitätsgesicherte Komponenten bereitzustellen.
    Wir empfehlen unseren Kunden dringend, sich für zuverlässige Komponentenlieferanten zu entscheiden.
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    STGW60H65F Spezifikationen Ähnliche Produkte anzeigen (99+)
    TYP
    BESCHREIBUNG
    AUSWÄHLEN
    Hersteller
    ST Microelectronics
    Kategorie
    IGBT-Transistor
    3D-Modell
     3D-Modell
    Montagesmethoden
    Through Hole
    Anzahl von Pins
    3 Pin
    Verpackung
    TO-247-3
    Verlustleistung
    360000 mW
    Durchschlagsspannung (Kollektor-Emitter)
    650 V
    Eingangsleistung (max.)
    360 W
    Betriebstemperatur (max.)
    150 ℃
    Betriebstemperatur (Min)
    -55 ℃
    Verlustleistung (max)
    360000 mW
    Ähnliche Produkte anzeigen
    STGW60H65F Datenblatt-PDF
    STGW60H65F Datenblatt PDF
    12 Pages, 1430 KB
    2011/10/21
    Ansicht
    Größe & Paket
    TYP
    BESCHREIBUNG
    Betriebstemperatur
    -55℃ ~ 150℃ (TJ)
    Produktlebenszyklus
    Active
    Verpackungsmethoden
    Tube
    Umwelt
    TYP
    BESCHREIBUNG
    RoHS-Standard
    RoHS Compliant
    Bleifreier Status
    Lead Free
    Exportklassifikationen
    TYP
    BESCHREIBUNG
    ECCN Code
    EAR99
    Funktionsübersicht
    • You can use this STGW60H65F IGBT transistor from STMicroelectronics as an electronic switch. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. Its maximum power dissipation is 360000 mW. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It is made in a single configuration.

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      - Wenn Sie spezielle Bestellanweisungen haben, vermerken Sie diese bitte auf der Bestellseite.
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    • - Sorgfältig geprüft und verpackt von AiPCBA
      - Vakuumverpackung
      - Antistatische Verpackung
      - Antivibrationsschaum
    • - Einkommensqualitätskontrolle (IQC), über 800 qualifizierte Vertriebspartner.
      - 500 m² Labor für fortschrittliche Komponententests, Fälschungserkennung, RoHS-konform usw.
      - 2000 m² digitales Komponentenlager, konstante Temperatur und Luftfeuchtigkeit
      - Entkapselungsinspektion
      - Röntgeninspektion
      - XRF-Inspektion
      - Elektrische Prüfung
      - Oberflächenprüfung
    • - Substandard- und Fälschungserkennung
      - Fehleranalyse
      - Elektrische Prüfung
      - Lebenszyklus- und Zuverlässigkeitstests
      - AiPCBA hat 2021 ein Komponententestlabor eingerichtet
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