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STB34NM60ND Bestand und Preise

ST Microelectronics D2PAK N-CH 600V 29A
4.97
STB34NM60ND
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STB34NM60ND ST Microelectronics
ST Microelectronics
  • Hersteller:
    ST Microelectronics
  • Hersteller-Nr:
    STB34NM60ND
  • AiPCBA-Teilenummer:
    CM28278633
  • Preis (EUR):
    4.97
  • AiPCBA-Lager:
    271 Stk
  • Verfügbarkeit:
    159 Stück auf Lager
    Lagerbestand des Lieferanten, muss mit dem Verkauf bestätigt werden
  • Produktkategorie:
    MOSFETs
  • Produktbeschreibung:
    D2PAK N-CH 600V 29A
  • Dokumentation: 3D-Modell
STB34NM60ND Kaufen STB34NM60ND Bestand & Preis aktualisiert um 2024-08-09 03:50:22
  • Aktualisieren
    Teilenummer: STB34NM60ND
    AiPCBA P/N: CM28278633
    Hersteller: ST Microelectronics
    Paket: TO-263-3
    Preis
    4.97
    Gesamt: 430 Stk
    MOQ: 1
    Versand von: Lagerhaus Hongkong
    Versanddatum: 2024/08/14 (erwartet)
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    STB34NM60ND Spezifikationen Ähnliche Produkte anzeigen (99+)
    TYP
    BESCHREIBUNG
    AUSWÄHLEN
    Hersteller
    ST Microelectronics
    Kategorie
    MOSFETs
    3D-Modell
     3D-Modell
    Montagesmethoden
    Surface Mount
    Anzahl von Pins
    3 Pin
    Verpackung
    TO-263-3
    Pinzahl
    3 Position
    Drain-Source-Widerstand
    0.097 Ω
    Polarität
    N-Channel
    Verlustleistung
    190 W
    Schwellenspannung
    4 V
    Drain-Source-Spannung (Vds)
    600 V
    Dauer-Drain-Strom (Ids)
    29A
    Anstiegszeit
    53.4 ns
    Eingangskapazität (Ciss)
    2785pF @50V(Vds)
    Eingangsleistung (max.)
    190 W
    Abfallzeit
    61.8 ns
    Betriebstemperatur (max.)
    150 ℃
    Betriebstemperatur (Min)
    -55 ℃
    Verlustleistung (max)
    190W (Tc)
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    STB34NM60ND Datenblatt-PDF
    STB34NM60ND Datenblatt PDF
    22 Pages, 1269 KB
    2011/10/21
    Ansicht
    STB34NM60ND Datenblatt PDF
    21 Pages, 1150 KB
    2005/10/20
    Ansicht
    STB34NM60ND Datenblatt PDF
    21 Pages, 1169 KB
    2013/02/08
    Ansicht
    STB34NM60ND Datenblatt PDF
    22 Pages, 1158 KB
    2011/10/21
    Ansicht
    STB34NM60ND Anderes Datenblatt
    21 Pages, 1149 KB
    Ansicht
    STB34NM60ND Anderes Datenblatt
    3 Pages, 320 KB
    2008/04/16
    Ansicht
    STB34NM60ND Notizdatei
    10 Pages, 778 KB
    2013/09/27
    Ansicht
    Größe & Paket
    TYP
    BESCHREIBUNG
    Länge
    10.75 mm
    Breite
    10.4 mm
    Höhe
    4.6 mm
    Betriebstemperatur
    150℃ (TJ)
    Produktlebenszyklus
    Active
    Verpackungsmethoden
    Tape & Reel (TR)
    Umwelt
    TYP
    BESCHREIBUNG
    RoHS-Standard
    RoHS Compliant
    Bleifreier Status
    Lead Free
    REACH SVHC-Standard
    No SVHC
    REACH SVHC Compliance Edition
    2015/12/17
    Exportklassifikationen
    TYP
    BESCHREIBUNG
    ECCN Code
    EAR99
    Funktionsübersicht
    • The STB34NM60ND is a FDmesh™ II N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This FDmesh™ V Power MOSFET produced using ST"s MDmesh™ V technology, which is based on an innovative proprietary vertical structure. The resulting product boasts an extremely low ON-resistance that is unrivalled among silicon-based Power MOSFET and superior switching performance with intrinsic fast-recovery body diode.
    • The worldwide best RDS (ON) area amongst the fast recovery diode device
    • 100% Avalanche tested
    • Low gate input resistance
    • The world"s best RDS (ON) in TO-220 amongst the fast recovery diode devices
    • Extremely high dV/dt and avalanche capabilities

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      - Bitte bestätigen Sie dies im Voraus mit dem Logistikunternehmen, wenn Sie sich in einem abgelegenen Gebiet befinden.
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    • - Sorgfältig geprüft und verpackt von AiPCBA
      - Vakuumverpackung
      - Antistatische Verpackung
      - Antivibrationsschaum
    • - Einkommensqualitätskontrolle (IQC), über 800 qualifizierte Vertriebspartner.
      - 500 m² Labor für fortschrittliche Komponententests, Fälschungserkennung, RoHS-konform usw.
      - 2000 m² digitales Komponentenlager, konstante Temperatur und Luftfeuchtigkeit
      - Entkapselungsinspektion
      - Röntgeninspektion
      - XRF-Inspektion
      - Elektrische Prüfung
      - Oberflächenprüfung
    • - Substandard- und Fälschungserkennung
      - Fehleranalyse
      - Elektrische Prüfung
      - Lebenszyklus- und Zuverlässigkeitstests
      - AiPCBA hat 2021 ein Komponententestlabor eingerichtet
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