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MTP36N06V Bestand und Preise

ON Semiconductor TO-220AB N-CH 60V 32A
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MTP36N06V
Das gezeigte Bild ist nur eine Darstellung. Genaue Spezifikationen sind dem Produktdatenblatt zu entnehmen.
MTP36N06V ON Semiconductor
ON Semiconductor
  • Hersteller:
    ON Semiconductor
  • Hersteller-Nr:
    MTP36N06V
  • AiPCBA-Teilenummer:
    CM251143753
  • Preis (EUR):
  • AiPCBA-Lager:
    202 Stk
  • Verfügbarkeit:
    130 Stück auf Lager
    Lagerbestand des Lieferanten, muss mit dem Verkauf bestätigt werden
  • Produktkategorie:
    MOSFETs
  • Produktbeschreibung:
    TO-220AB N-CH 60V 32A
  • Dokumentation: 3D-Modell
MTP36N06V Kaufen MTP36N06V Bestand & Preis aktualisiert um 2024-07-11 03:50:22
  • Aktualisieren
    Teilenummer: MTP36N06V
    AiPCBA P/N: CM251143753
    Hersteller: ON Semiconductor
    Preis
    Gesamt: 332 Stk
    MOQ: 1
    Versand von: Lagerhaus Hongkong
    Versanddatum: 2024/07/16 (erwartet)
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    Kürzlich haben wir festgestellt, dass Kriminelle vorgaben, AiPCBA zu sein, um zu betrügen oder zu versuchen, Fälschungen zu verkaufen ausgefallene Komponenten zu günstigen Preisen.
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    MTP36N06V Spezifikationen Ähnliche Produkte anzeigen (99+)
    TYP
    BESCHREIBUNG
    AUSWÄHLEN
    Hersteller
    ON Semiconductor
    Kategorie
    MOSFETs
    3D-Modell
     3D-Modell
    Montagesmethoden
    Through Hole
    Verpackung
    TO-220-3
    Nennspannung (DC)
    60.0 V
    Nennstrom
    32.0 A
    Polarität
    N-CH
    Verlustleistung
    90W (Tc)
    Drain-Source-Spannung (Vds)
    60 V
    Dauer-Drain-Strom (Ids)
    32.0 A
    Anstiegszeit
    138 ns
    Eingangskapazität (Ciss)
    1700pF @25V(Vds)
    Verlustleistung (max)
    90W (Tc)
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    MTP36N06V Datenblatt-PDF
    MTP36N06V Datenblatt PDF
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    2012/03/28
    Ansicht
    MTP36N06V Anderes Datenblatt
    11 Pages, 119 KB
    2004/10/26
    Ansicht
    Größe & Paket
    TYP
    BESCHREIBUNG
    Betriebstemperatur
    -55℃ ~ 175℃ (TJ)
    Produktlebenszyklus
    Unknown
    Verpackungsmethoden
    Bulk
    Umwelt
    TYP
    BESCHREIBUNG
    RoHS-Standard
    Non-Compliant
    Bleifreier Status
    Contains Lead
    Funktionsübersicht
    • 32 AMPERES 60 VOLTS RDS(on)= 40 mΩ
    • This Power MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.
    • •Avalanche Energy Specified
    • •IDSSand VDS(on)Specified at Elevated Temperature

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    • - Sorgfältig geprüft und verpackt von AiPCBA
      - Vakuumverpackung
      - Antistatische Verpackung
      - Antivibrationsschaum
    • - Einkommensqualitätskontrolle (IQC), über 800 qualifizierte Vertriebspartner.
      - 500 m² Labor für fortschrittliche Komponententests, Fälschungserkennung, RoHS-konform usw.
      - 2000 m² digitales Komponentenlager, konstante Temperatur und Luftfeuchtigkeit
      - Entkapselungsinspektion
      - Röntgeninspektion
      - XRF-Inspektion
      - Elektrische Prüfung
      - Oberflächenprüfung
    • - Substandard- und Fälschungserkennung
      - Fehleranalyse
      - Elektrische Prüfung
      - Lebenszyklus- und Zuverlässigkeitstests
      - AiPCBA hat 2021 ein Komponententestlabor eingerichtet
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