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MTD9N10E Bestand und Preise

ON Semiconductor DPAK N-CH 100V 9A
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MTD9N10E
Das gezeigte Bild ist nur eine Darstellung. Genaue Spezifikationen sind dem Produktdatenblatt zu entnehmen.
MTD9N10E ON Semiconductor
ON Semiconductor
  • Hersteller:
    ON Semiconductor
  • Hersteller-Nr:
    MTD9N10E
  • AiPCBA-Teilenummer:
    CM231279407
  • Preis (EUR):
  • AiPCBA-Lager:
    201 Stk
  • Verfügbarkeit:
    123 Stück auf Lager
    Lagerbestand des Lieferanten, muss mit dem Verkauf bestätigt werden
  • Produktbeschreibung:
    DPAK N-CH 100V 9A
  • Dokumentation: 3D-Modell
MTD9N10E Kaufen MTD9N10E Bestand & Preis aktualisiert um 2024-06-29 03:50:22
  • Aktualisieren
    Teilenummer: MTD9N10E
    AiPCBA P/N: CM231279407
    Hersteller: ON Semiconductor
    Preis
    Gesamt: 324 Stk
    MOQ: 1
    Versand von: Lagerhaus Hongkong
    Versanddatum: 2024/07/04 (erwartet)
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    108.116 Teile im AiPCBA-Lager gelagert
    Erinnerungen zur Betrugsprävention
    Kürzlich haben wir festgestellt, dass Kriminelle vorgaben, AiPCBA zu sein, um zu betrügen oder zu versuchen, Fälschungen zu verkaufen ausgefallene Komponenten zu günstigen Preisen.
    AiPCBA hat ein Komponentenprüflabor im Jahr 2021 mit dem Ziel, qualitätsgesicherte Komponenten bereitzustellen.
    Wir empfehlen unseren Kunden dringend, sich für zuverlässige Komponentenlieferanten zu entscheiden.
    Bitte beachten Sie, dass die einzigen offiziellen Website- und E-Mail-Suffixe sind aipcba.com
    MTD9N10E Spezifikationen Ähnliche Produkte anzeigen (99+)
    TYP
    BESCHREIBUNG
    AUSWÄHLEN
    Hersteller
    ON Semiconductor
    Montagesmethoden
    Surface Mount
    3D-Modell
     3D-Modell
    Verpackung
    DPAK
    Polarität
    N-CH
    Drain-Source-Spannung (Vds)
    100 V
    Dauer-Drain-Strom (Ids)
    9A
    Ähnliche Produkte anzeigen
    Größe & Paket
    TYP
    BESCHREIBUNG
    Produktlebenszyklus
    Unknown
    Funktionsübersicht
    • Power MOSFET 9 Amps, 100 Volts N–Channel DPAK
    •  This advanced Power MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast recovery time. Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.
    • •Avalanche Energy Specified
    • •Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a
    • Discrete Fast Recovery Diode
    • •Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
    • •IDSSand VDS(on)Specified at Elevated Temperature
    • •Replaces MTD6N10

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    • - Sorgfältig geprüft und verpackt von AiPCBA
      - Vakuumverpackung
      - Antistatische Verpackung
      - Antivibrationsschaum
    • - Einkommensqualitätskontrolle (IQC), über 800 qualifizierte Vertriebspartner.
      - 500 m² Labor für fortschrittliche Komponententests, Fälschungserkennung, RoHS-konform usw.
      - 2000 m² digitales Komponentenlager, konstante Temperatur und Luftfeuchtigkeit
      - Entkapselungsinspektion
      - Röntgeninspektion
      - XRF-Inspektion
      - Elektrische Prüfung
      - Oberflächenprüfung
    • - Substandard- und Fälschungserkennung
      - Fehleranalyse
      - Elektrische Prüfung
      - Lebenszyklus- und Zuverlässigkeitstests
      - AiPCBA hat 2021 ein Komponententestlabor eingerichtet
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    SN:H0.31667LO86117V42Q0QC0S1
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