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MTB2P50E Bestand und Preise

ON Semiconductor Trans MOSFET P-CH 500V 2A 3Pin(2+Tab) D2PAK
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MTB2P50E
Das gezeigte Bild ist nur eine Darstellung. Genaue Spezifikationen sind dem Produktdatenblatt zu entnehmen.
MTB2P50E ON Semiconductor
ON Semiconductor
  • Hersteller:
    ON Semiconductor
  • Hersteller-Nr:
    MTB2P50E
  • AiPCBA-Teilenummer:
    CM443862112
  • Preis (EUR):
  • AiPCBA-Lager:
    238 Stk
  • Verfügbarkeit:
    182 Stück auf Lager
    Lagerbestand des Lieferanten, muss mit dem Verkauf bestätigt werden
  • Produktkategorie:
    MOSFETs
  • Produktbeschreibung:
    Trans MOSFET P-CH 500V 2A 3Pin(2+Tab) D2PAK
  • Dokumentation: 3D-Modell
MTB2P50E Kaufen MTB2P50E Bestand & Preis aktualisiert um 2024-07-04 03:50:22
  • Aktualisieren
    Teilenummer: MTB2P50E
    AiPCBA P/N: CM443862112
    Hersteller: ON Semiconductor
    Preis
    Gesamt: 420 Stk
    MOQ: 1
    Versand von: Lagerhaus Hongkong
    Versanddatum: 2024/07/09 (erwartet)
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    Kürzlich haben wir festgestellt, dass Kriminelle vorgaben, AiPCBA zu sein, um zu betrügen oder zu versuchen, Fälschungen zu verkaufen ausgefallene Komponenten zu günstigen Preisen.
    AiPCBA hat ein Komponentenprüflabor im Jahr 2021 mit dem Ziel, qualitätsgesicherte Komponenten bereitzustellen.
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    MTB2P50E Spezifikationen Ähnliche Produkte anzeigen (99+)
    TYP
    BESCHREIBUNG
    AUSWÄHLEN
    Hersteller
    ON Semiconductor
    Kategorie
    MOSFETs
    3D-Modell
     3D-Modell
    Anzahl von Pins
    3 Pin
    Verpackung
    TO-263
    Anstiegszeit
    14 ns
    Eingangskapazität (Ciss)
    845pF @25V(Vds)
    Abfallzeit
    19 ns
    Betriebstemperatur (max.)
    150 ℃
    Betriebstemperatur (Min)
    -55 ℃
    Verlustleistung (max)
    2500 mW
    Ähnliche Produkte anzeigen
    MTB2P50E Datenblatt-PDF
    MTB2P50E Datenblatt PDF
    8 Pages, 77 KB
    Ansicht
    Größe & Paket
    TYP
    BESCHREIBUNG
    Produktlebenszyklus
    Unknown
    Verpackungsmethoden
    Tape & Reel (TR)
    Umwelt
    TYP
    BESCHREIBUNG
    RoHS-Standard
    Non-Compliant
    Funktionsübersicht
    • Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts P−Channel D2PAK
    • This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage−blocking capability without degrading performance over time. In addition, this Power MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The energy efficient design also offers a drain−to−source diode with a fast recovery time. Designed for high voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.
    • Features
    • • Robust High Voltage Termination
    • • Avalanche Energy Specified
    • • Source−to−Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete
    •    Fast Recovery Diode
    • • Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
    • • IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
    • • Short Heatsink Tab Manufactured — Not Sheared
    • • Specially Designed Leadframe for Maximum Power Dissipation
    • • Pb−Free Package is Available

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    • - Sorgfältig geprüft und verpackt von AiPCBA
      - Vakuumverpackung
      - Antistatische Verpackung
      - Antivibrationsschaum
    • - Einkommensqualitätskontrolle (IQC), über 800 qualifizierte Vertriebspartner.
      - 500 m² Labor für fortschrittliche Komponententests, Fälschungserkennung, RoHS-konform usw.
      - 2000 m² digitales Komponentenlager, konstante Temperatur und Luftfeuchtigkeit
      - Entkapselungsinspektion
      - Röntgeninspektion
      - XRF-Inspektion
      - Elektrische Prüfung
      - Oberflächenprüfung
    • - Substandard- und Fälschungserkennung
      - Fehleranalyse
      - Elektrische Prüfung
      - Lebenszyklus- und Zuverlässigkeitstests
      - AiPCBA hat 2021 ein Komponententestlabor eingerichtet
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    SN:H0.68102LO86049V20Q0QC0S1
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