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MJE5852G Bestand und Preise

ON Semiconductor TO-220AB PNP 400V 8A
4.95
MJE5852G
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MJE5852G ON Semiconductor
ON Semiconductor
  • Hersteller:
    ON Semiconductor
  • Hersteller-Nr:
    MJE5852G
  • AiPCBA-Teilenummer:
    CM4631767
  • Preis (EUR):
    4.95
  • AiPCBA-Lager:
    215 Stk
  • Verfügbarkeit:
    134 Stück auf Lager
    Lagerbestand des Lieferanten, muss mit dem Verkauf bestätigt werden
  • Produktkategorie:
    Bipolartransistor
  • Produktbeschreibung:
    TO-220AB PNP 400V 8A
  • Dokumentation: 3D-Modell
MJE5852G Kaufen MJE5852G Bestand & Preis aktualisiert um 2024-08-10 03:50:22
  • Aktualisieren
    Teilenummer: MJE5852G
    AiPCBA P/N: CM4631767
    Hersteller: ON Semiconductor
    Paket: TO-220-3
    Preis
    4.95
    Gesamt: 349 Stk
    MOQ: 1
    Versand von: Lagerhaus Hongkong
    Versanddatum: 2024/08/15 (erwartet)
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    MJE5852G Spezifikationen Ähnliche Produkte anzeigen (99+)
    TYP
    BESCHREIBUNG
    AUSWÄHLEN
    Hersteller
    ON Semiconductor
    Kategorie
    Bipolartransistor
    3D-Modell
     3D-Modell
    Montagesmethoden
    Through Hole
    Anzahl von Pins
    3 Pin
    Verpackung
    TO-220-3
    Nennspannung (DC)
    -400 V
    Nennstrom
    -8.00 A
    Pinzahl
    3 Position
    Polarität
    PNP, P-Channel
    Verlustleistung
    80 W
    Durchschlagsspannung (Kollektor-Emitter)
    400 V
    Wärmewiderstand
    1.25℃/W (RθJC)
    Kontinuierlicher Sammlerstrom
    8A
    hFE Min
    5 @5A, 5V
    Eingangsleistung (max.)
    80 W
    Gleichstromverstärkung (hFE)
    15
    Betriebstemperatur (max.)
    150 ℃
    Betriebstemperatur (Min)
    -65 ℃
    Verlustleistung (max)
    80000 mW
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    MJE5852G Datenblatt-PDF
    MJE5852G Datenblatt PDF
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    2015/01/15
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    2011/10/27
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    2006/02/25
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    2014/09/18
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    2014/06/20
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    MJE5852G Notizdatei
    6 Pages, 73 KB
    2014/01/24
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    5 Pages, 159 KB
    2015/10/16
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    MJE5852G Andere Referenzen
    1 Pages, 140 KB
    2011/06/15
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    Größe & Paket
    TYP
    BESCHREIBUNG
    Länge
    10.28 mm
    Breite
    4.83 mm
    Höhe
    9.28 mm
    Material
    Silicon
    Betriebstemperatur
    -65℃ ~ 150℃
    Produktlebenszyklus
    Active
    Verpackungsmethoden
    Tube
    Umwelt
    TYP
    BESCHREIBUNG
    RoHS-Standard
    RoHS Compliant
    Bleifreier Status
    Lead Free
    REACH SVHC-Standard
    No SVHC
    REACH SVHC Compliance Edition
    2015/12/17
    Exportklassifikationen
    TYP
    BESCHREIBUNG
    ECCN Code
    EAR99
    Funktionsübersicht
    • The MJE5852G is a -400V PNP silicon Bipolar Power Transistor designed for high voltage, high speed and power switching in inductive circuits where fall time is critical. This switch-mode series transistor is particularly suited for line operated switch-mode applications.
    • Fast turn-off times
    • Complementary to the MJE13007 series
    • 6V Emitter to base voltage (VEBO)
    • 16ADC Peak collector current
    • 4ADC Base current (IB)
    • 1.25°C/W Thermal resistance, junction to case

    AiPCBA-Zertifizierungen

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      - MOQ bedeutet die Mindestbestellmenge, die erforderlich ist, um jedes Teil zu kaufen.
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      - Lieferdatum: normalerweise 2 bis 7 Werktage.
      - Tracking-Nummer wird gesendet, sobald Ihre Bestellung versandt wurde.
    • - Sorgfältig geprüft und verpackt von AiPCBA
      - Vakuumverpackung
      - Antistatische Verpackung
      - Antivibrationsschaum
    • - Einkommensqualitätskontrolle (IQC), über 800 qualifizierte Vertriebspartner.
      - 500 m² Labor für fortschrittliche Komponententests, Fälschungserkennung, RoHS-konform usw.
      - 2000 m² digitales Komponentenlager, konstante Temperatur und Luftfeuchtigkeit
      - Entkapselungsinspektion
      - Röntgeninspektion
      - XRF-Inspektion
      - Elektrische Prüfung
      - Oberflächenprüfung
    • - Substandard- und Fälschungserkennung
      - Fehleranalyse
      - Elektrische Prüfung
      - Lebenszyklus- und Zuverlässigkeitstests
      - AiPCBA hat 2021 ein Komponententestlabor eingerichtet
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    Teile beziehen: MJE5852 Datenblatt PDF

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