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MJD112G Bestand und Preise

ON Semiconductor DPAK NPN 100V 2A
0.42
MJD112G
Das gezeigte Bild ist nur eine Darstellung. Genaue Spezifikationen sind dem Produktdatenblatt zu entnehmen.
MJD112G ON Semiconductor
ON Semiconductor
  • Hersteller:
    ON Semiconductor
  • Hersteller-Nr:
    MJD112G
  • AiPCBA-Teilenummer:
    CM10521268
  • Preis (EUR):
    0.42
  • AiPCBA-Lager:
    276 Stk
  • Verfügbarkeit:
    171 Stück auf Lager
    Lagerbestand des Lieferanten, muss mit dem Verkauf bestätigt werden
  • Produktkategorie:
    Bipolartransistor
  • Produktbeschreibung:
    DPAK NPN 100V 2A
  • Dokumentation: RoHS-konform 3D-Modell
MJD112G Kaufen MJD112G Bestand & Preis aktualisiert um 2024-07-04 03:50:22
  • Aktualisieren
    Teilenummer: MJD112G
    AiPCBA P/N: CM10521268
    Hersteller: ON Semiconductor
    Preis
    0.42
    Gesamt: 447 Stk
    MOQ: 1
    Versand von: Lagerhaus Hongkong
    Versanddatum: 2024/07/09 (erwartet)
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    AiPCBA hat ein Komponentenprüflabor im Jahr 2021 mit dem Ziel, qualitätsgesicherte Komponenten bereitzustellen.
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    MJD112G Spezifikationen Ähnliche Produkte anzeigen (99+)
    TYP
    BESCHREIBUNG
    AUSWÄHLEN
    Hersteller
    ON Semiconductor
    Kategorie
    Bipolartransistor
    3D-Modell
     3D-Modell
    Montagesmethoden
    Surface Mount
    Anzahl von Pins
    3 Pin
    Verpackung
    TO-252-3
    Nennspannung (DC)
    100 V
    Nennstrom
    2.00 A
    halogenfreier Status
    Halogen Free
    Ausgangsspannung
    100 V
    Pinzahl
    3 Position
    Polarität
    NPN
    Verlustleistung
    1.75 W
    Durchschlagsspannung (Kollektor-Emitter)
    100 V
    Wärmewiderstand
    71.4℃/W (RθJA)
    Kontinuierlicher Sammlerstrom
    2A
    hFE Min
    1000
    hFE Max
    12000
    Eingangsleistung (max.)
    1.75 W
    Gleichstromverstärkung (hFE)
    12000
    Betriebstemperatur (max.)
    150 ℃
    Betriebstemperatur (Min)
    -65 ℃
    Bandbreite gewinnen
    25MHz (Min)
    Verlustleistung (max)
    20 W
    Eingangsspannung
    5 V
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    Ansicht
    Größe & Paket
    TYP
    BESCHREIBUNG
    Länge
    6.73 mm
    Breite
    6.22 mm
    Höhe
    2.38 mm
    Betriebstemperatur
    -65℃ ~ 150℃ (TJ)
    Produktlebenszyklus
    Active
    Verpackungsmethoden
    Tube
    Umwelt
    TYP
    BESCHREIBUNG
    RoHS-Standard
    RoHS Compliant
    Bleifreier Status
    Lead Free
    REACH SVHC-Standard
    No SVHC
    Exportklassifikationen
    TYP
    BESCHREIBUNG
    ECCN Code
    EAR99
    Funktionsübersicht
    • The MJD112G is a 2A NPN bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.
    • Lead formed for surface-mount applications in plastic sleeves
    • Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors
    • Complementary pairs simplifies designs
    • Surface-mount replacements for TIP110 to TIP117 series
    • AEC-Q101 qualified and PPAP capable

    AiPCBA-Zertifizierungen

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      (Es können zusätzliche Gebühren (35-50 USD) für die Lieferung in diese Gebiete anfallen.)
      - Lieferdatum: normalerweise 2 bis 7 Werktage.
      - Tracking-Nummer wird gesendet, sobald Ihre Bestellung versandt wurde.
    • - Sorgfältig geprüft und verpackt von AiPCBA
      - Vakuumverpackung
      - Antistatische Verpackung
      - Antivibrationsschaum
    • - Einkommensqualitätskontrolle (IQC), über 800 qualifizierte Vertriebspartner.
      - 500 m² Labor für fortschrittliche Komponententests, Fälschungserkennung, RoHS-konform usw.
      - 2000 m² digitales Komponentenlager, konstante Temperatur und Luftfeuchtigkeit
      - Entkapselungsinspektion
      - Röntgeninspektion
      - XRF-Inspektion
      - Elektrische Prüfung
      - Oberflächenprüfung
    • - Substandard- und Fälschungserkennung
      - Fehleranalyse
      - Elektrische Prüfung
      - Lebenszyklus- und Zuverlässigkeitstests
      - AiPCBA hat 2021 ein Komponententestlabor eingerichtet
      Mehr erfahren >
    Teile beziehen: MJD112 Datenblatt PDF

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