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KSC3503DS Bestand und Preise

ON Semiconductor Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 7000mW 3Pin(3+Tab) TO-126 Bag
0.23
KSC3503DS
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KSC3503DS ON Semiconductor
ON Semiconductor
  • Hersteller:
    ON Semiconductor
  • Hersteller-Nr:
    KSC3503DS
  • AiPCBA-Teilenummer:
    CM53658050
  • Preis (EUR):
    0.23
  • AiPCBA-Lager:
    202 Stk
  • Verfügbarkeit:
    131 Stück auf Lager
    Lagerbestand des Lieferanten, muss mit dem Verkauf bestätigt werden
  • Produktkategorie:
    Bipolartransistor
  • Produktbeschreibung:
    Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 7000mW 3Pin(3+Tab) TO-126 Bag
  • Dokumentation: 3D-Modell
KSC3503DS Kaufen KSC3503DS Bestand & Preis aktualisiert um 2024-07-11 03:50:22
  • Aktualisieren
    Teilenummer: KSC3503DS
    AiPCBA P/N: CM53658050
    Hersteller: ON Semiconductor
    Preis
    0.23
    Gesamt: 333 Stk
    MOQ: 1
    Versand von: Lagerhaus Hongkong
    Versanddatum: 2024/07/16 (erwartet)
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    KSC3503DS Spezifikationen Ähnliche Produkte anzeigen (99+)
    TYP
    BESCHREIBUNG
    AUSWÄHLEN
    Hersteller
    ON Semiconductor
    Kategorie
    Bipolartransistor
    3D-Modell
     3D-Modell
    Montagesmethoden
    Through Hole
    Anzahl von Pins
    3 Pin
    Verpackung
    TO-126-3
    Frequenz
    150 MHz
    Pinzahl
    3 Position
    Verlustleistung
    7 W
    Durchschlagsspannung (Kollektor-Emitter)
    300 V
    hFE Min
    60 @10mA, 10V
    Eingangsleistung (max.)
    7 W
    Gleichstromverstärkung (hFE)
    60
    Betriebstemperatur (max.)
    150 ℃
    Betriebstemperatur (Min)
    -55 ℃
    Verlustleistung (max)
    7000 mW
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    KSC3503DS Datenblatt-PDF
    KSC3503DS Datenblatt PDF
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    Ansicht
    KSC3503DS Anderes Datenblatt
    7 Pages, 229 KB
    Ansicht
    Größe & Paket
    TYP
    BESCHREIBUNG
    Material
    Silicon
    Betriebstemperatur
    -55℃ ~ 150℃ (TJ)
    Produktlebenszyklus
    Active
    Verpackungsmethoden
    Bag
    Umwelt
    TYP
    BESCHREIBUNG
    RoHS-Standard
    Compliant with Exemption
    Bleifreier Status
    Lead Free
    Funktionsübersicht
    • The KSC3503DS is a NPN Epitaxial Silicon Transistor offers 300V low base voltage and 100A collector current. It is suitable for voltage amplifier, current source, CRT display and video output applications.
    • High voltage
    • 1.8pF at 30V VCB Low reverse transfer capacitance
    • Excellent gain linearity for low THD
    • 150MHz High frequency
    • Complementary to KSC1381

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    • - Sorgfältig geprüft und verpackt von AiPCBA
      - Vakuumverpackung
      - Antistatische Verpackung
      - Antivibrationsschaum
    • - Einkommensqualitätskontrolle (IQC), über 800 qualifizierte Vertriebspartner.
      - 500 m² Labor für fortschrittliche Komponententests, Fälschungserkennung, RoHS-konform usw.
      - 2000 m² digitales Komponentenlager, konstante Temperatur und Luftfeuchtigkeit
      - Entkapselungsinspektion
      - Röntgeninspektion
      - XRF-Inspektion
      - Elektrische Prüfung
      - Oberflächenprüfung
    • - Substandard- und Fälschungserkennung
      - Fehleranalyse
      - Elektrische Prüfung
      - Lebenszyklus- und Zuverlässigkeitstests
      - AiPCBA hat 2021 ein Komponententestlabor eingerichtet
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    Teile beziehen: KSC3503 Datenblatt PDF

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