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IXGT32N170 Bestand und Preise

IXYS Semiconductor Trans IGBT Chip N-CH 1700V 75A 350000mW 3Pin(2+Tab) TO-268
16.93
IXGT32N170
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IXGT32N170 IXYS Semiconductor
Kaum verfügbar
IXYS Semiconductor
  • Hersteller:
    IXYS Semiconductor
  • Hersteller-Nr:
    IXGT32N170
  • AiPCBA-Teilenummer:
    CM74473133
  • Preis (EUR):
    16.93
  • AiPCBA-Lager:
    31 Stk
  • Verfügbarkeit:
    31 Stück auf Lager
    Lagerbestand des Lieferanten, muss mit dem Verkauf bestätigt werden
  • Produktkategorie:
    IGBT-Transistor
  • Produktbeschreibung:
    Trans IGBT Chip N-CH 1700V 75A 350000mW 3Pin(2+Tab) TO-268
  • Dokumentation: RoHS-konform 3D-Modell
IXGT32N170 Kaufen IXGT32N170 Bestand & Preis aktualisiert um 2024-07-04 03:50:22
  • Aktualisieren
    Teilenummer: IXGT32N170
    AiPCBA P/N: CM74473133
    Hersteller: IXYS Semiconductor
    Preis
    16.93
    Gesamt: 62 Stk
    MOQ: 1
    Versand von: Lagerhaus Hongkong
    Versanddatum: 2024/07/09 (erwartet)
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    AiPCBA hat ein Komponentenprüflabor im Jahr 2021 mit dem Ziel, qualitätsgesicherte Komponenten bereitzustellen.
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    IXGT32N170 Spezifikationen Ähnliche Produkte anzeigen (99+)
    TYP
    BESCHREIBUNG
    AUSWÄHLEN
    Hersteller
    IXYS Semiconductor
    Kategorie
    IGBT-Transistor
    3D-Modell
     3D-Modell
    Montagesmethoden
    Surface Mount
    Anzahl von Pins
    3 Pin
    Verpackung
    TO-268-3
    Verlustleistung
    350 W
    Durchschlagsspannung (Kollektor-Emitter)
    1700 V
    Eingangsleistung (max.)
    350 W
    Betriebstemperatur (max.)
    150 ℃
    Betriebstemperatur (Min)
    -55 ℃
    Verlustleistung (max)
    350000 mW
    Ähnliche Produkte anzeigen
    IXGT32N170 Datenblatt-PDF
    IXGT32N170 Datenblatt PDF
    5 Pages, 578 KB
    2003/11/22
    Ansicht
    Größe & Paket
    TYP
    BESCHREIBUNG
    Länge
    16.05 mm
    Breite
    14 mm
    Höhe
    5.1 mm
    Betriebstemperatur
    -55℃ ~ 150℃ (TJ)
    Produktlebenszyklus
    Active
    Verpackungsmethoden
    Tube
    Umwelt
    TYP
    BESCHREIBUNG
    RoHS-Standard
    RoHS Compliant
    Bleifreier Status
    Lead Free
    Exportklassifikationen
    TYP
    BESCHREIBUNG
    ECCN Code
    EAR99
    Funktionsübersicht
    • Don"t be afraid to step up the amps in your device when using this IXGT32N170 IGBT transistor from Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 350000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 1700 V. It is made in a single configuration. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

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    • - Sorgfältig geprüft und verpackt von AiPCBA
      - Vakuumverpackung
      - Antistatische Verpackung
      - Antivibrationsschaum
    • - Einkommensqualitätskontrolle (IQC), über 800 qualifizierte Vertriebspartner.
      - 500 m² Labor für fortschrittliche Komponententests, Fälschungserkennung, RoHS-konform usw.
      - 2000 m² digitales Komponentenlager, konstante Temperatur und Luftfeuchtigkeit
      - Entkapselungsinspektion
      - Röntgeninspektion
      - XRF-Inspektion
      - Elektrische Prüfung
      - Oberflächenprüfung
    • - Substandard- und Fälschungserkennung
      - Fehleranalyse
      - Elektrische Prüfung
      - Lebenszyklus- und Zuverlässigkeitstests
      - AiPCBA hat 2021 ein Komponententestlabor eingerichtet
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    SN:H1.7752LO39745V13Q0QC0S1
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