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ISO5851QDWRQ1 Bestand und Preise

TI Automotive, High-CMTI 2.5A / 5A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver With Active Protection Features 16-SOIC -40℃ to 125℃
2.14
ISO5851QDWRQ1
Das gezeigte Bild ist nur eine Darstellung. Genaue Spezifikationen sind dem Produktdatenblatt zu entnehmen.
ISO5851QDWRQ1 TI
TI
  • Hersteller:
    TI
  • Hersteller-Nr:
    ISO5851QDWRQ1
  • AiPCBA-Teilenummer:
    CM17478963
  • Preis (EUR):
    2.14
  • AiPCBA-Lager:
    287 Stk
  • Verfügbarkeit:
    177 Stück auf Lager
    Lagerbestand des Lieferanten, muss mit dem Verkauf bestätigt werden
  • Produktbeschreibung:
    Automotive, High-CMTI 2.5A / 5A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver With Active Protection Features 16-SOIC -40℃ to 125℃
  • Dokumentation: RoHS-konform 3D-Modell
ISO5851QDWRQ1 Kaufen ISO5851QDWRQ1 Bestand & Preis aktualisiert um 2024-07-04 03:50:22
  • Aktualisieren
    Teilenummer: ISO5851QDWRQ1
    AiPCBA P/N: CM17478963
    Hersteller: TI
    Preis
    2.14
    Gesamt: 464 Stk
    MOQ: 1
    Versand von: Lagerhaus Hongkong
    Versanddatum: 2024/07/09 (erwartet)
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    Kürzlich haben wir festgestellt, dass Kriminelle vorgaben, AiPCBA zu sein, um zu betrügen oder zu versuchen, Fälschungen zu verkaufen ausgefallene Komponenten zu günstigen Preisen.
    AiPCBA hat ein Komponentenprüflabor im Jahr 2021 mit dem Ziel, qualitätsgesicherte Komponenten bereitzustellen.
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    ISO5851QDWRQ1 Spezifikationen Ähnliche Produkte anzeigen (99+)
    TYP
    BESCHREIBUNG
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    Hersteller
    TI
    Montagesmethoden
    Surface Mount
    3D-Modell
     3D-Modell
    Anzahl von Pins
    16 Pin
    Verpackung
    SOIC-16
    Anstieg- und Abfallzeit
    20 ns
    Ausgang-Schnittstellen
    1 Output
    Ausgangsspannung
    15V ~ 30V
    Ausgangsstrom
    2.5A, 5A
    Anzahl der Kanäle
    1 Channel
    Pinzahl
    16 Position
    Verlustleistung
    1.255 W
    Anstiegszeit
    20 ns
    Isolationsspannung
    5700 Vrms
    Abfallzeit
    20 ns
    Abfallzeit (max.)
    20 ns
    Abfallzeit (max.)
    20 ns
    Betriebstemperatur (max.)
    125 ℃
    Betriebstemperatur (Min)
    -40 ℃
    Verlustleistung (max)
    1255 mW
    Versorgungsspannung (max.)
    5.5 V
    Versorgungsspannung (Min)
    3 V
    Ähnliche Produkte anzeigen
    ISO5851QDWRQ1 Datenblatt-PDF
    ISO5851QDWRQ1 Datenblatt PDF
    40 Pages, 1457 KB
    Ansicht
    ISO5851QDWRQ1 Anwendungshinweis
    22 Pages, 1311 KB
    2011/09/09
    Ansicht
    Größe & Paket
    TYP
    BESCHREIBUNG
    Betriebstemperatur
    -40℃ ~ 125℃
    Produktlebenszyklus
    Active
    Verpackungsmethoden
    Tape & Reel (TR)
    Umwelt
    TYP
    BESCHREIBUNG
    RoHS-Standard
    RoHS Compliant
    Bleifreier Status
    Lead Free
    REACH SVHC Compliance Edition
    2016/06/20
    Exportklassifikationen
    TYP
    BESCHREIBUNG
    ECCN Code
    EAR99
    Funktionsübersicht
    • The ISO5851-Q1 is a 5.7-kVRMS, reinforced isolated gate driver for IGBTs and MOSFETs with 2.5-A source and 5-A sink current. The input side operates from a single 3-V to 5.5-V supply. The output side allows for a supply range from minimum 15 V to maximum 30 V. Two complementary CMOS inputs control the output state of the gate driver. The short propagation time of 76 ns assures accurate control of the output stage.
    • An internal desaturation (DESAT) fault detection recognizes when the IGBT is in an overload condition. Upon a DESAT detect, the gate driver output is driven low to VEE2 potential, turning the IGBT immediately off.
    • When desaturation is active, a fault signal is sent across the isolation barrier, pulling the FLT output at the input side low and blocking the isolator input. The FLT output condition is latched and can be reset through a low-active pulse at the RST input.
    • When the IGBT is turned off during normal operation with bipolar output supply, the output is hard clamp to VEE2. If the output supply is unipolar, an active Miller clamp can be used, allowing Miller current to sink across a low impedance path preventing IGBT to be dynamically turned on during high voltage transient conditions.
    • When desaturation is active, a fault signal is sent across the isolation barrier pulling the FLT output at the input side low and blocking the isolator input. The FLT output condition is latched and can be reset through a low-active pulse at the RST input.
    • When the IGBT is turned off during normal operation with bipolar output supply, the output is hard clamp to VEE2. If the output supply is unipolar, an active Miller clamp can be used, allowing Miller current to sink across a low impedance path preventing IGBT to be dynamically turned on during high voltage transient conditions.
    • The readiness for the gate driver to be operated is under the control of two undervoltage-lockout circuits monitoring the input side and output side supplies. If either side has insufficient supply the RDY output goes low; otherwise, this output is high.
    • The ISO5851-Q1 is available in a 16-pin SOIC package. Device operation is specified over a temperature range from –40°C to +125°C ambient.

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    • - Sorgfältig geprüft und verpackt von AiPCBA
      - Vakuumverpackung
      - Antistatische Verpackung
      - Antivibrationsschaum
    • - Einkommensqualitätskontrolle (IQC), über 800 qualifizierte Vertriebspartner.
      - 500 m² Labor für fortschrittliche Komponententests, Fälschungserkennung, RoHS-konform usw.
      - 2000 m² digitales Komponentenlager, konstante Temperatur und Luftfeuchtigkeit
      - Entkapselungsinspektion
      - Röntgeninspektion
      - XRF-Inspektion
      - Elektrische Prüfung
      - Oberflächenprüfung
    • - Substandard- und Fälschungserkennung
      - Fehleranalyse
      - Elektrische Prüfung
      - Lebenszyklus- und Zuverlässigkeitstests
      - AiPCBA hat 2021 ein Komponententestlabor eingerichtet
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