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IRF7328TRPBF Bestand und Preise

Infineon SOIC P-CH 30V 8A
4.61
IRF7328TRPBF
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IRF7328TRPBF Infineon
Infineon
  • Hersteller:
    Infineon
  • Hersteller-Nr:
    IRF7328TRPBF
  • AiPCBA-Teilenummer:
    CM3180900
  • Preis (EUR):
    4.61
  • AiPCBA-Lager:
    292 Stk
  • Verfügbarkeit:
    174 Stück auf Lager
    Lagerbestand des Lieferanten, muss mit dem Verkauf bestätigt werden
  • Produktkategorie:
    MOSFETs
  • Produktbeschreibung:
    SOIC P-CH 30V 8A
  • Dokumentation: 3D-Modell
IRF7328TRPBF Kaufen IRF7328TRPBF Bestand & Preis aktualisiert um 2024-08-10 03:50:22
  • Aktualisieren
    Teilenummer: IRF7328TRPBF
    AiPCBA P/N: CM3180900
    Hersteller: Infineon
    Paket: SOIC-8
    Preis
    4.61
    Gesamt: 466 Stk
    MOQ: 1
    Versand von: Lagerhaus Hongkong
    Versanddatum: 2024/08/15 (erwartet)
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    IRF7328TRPBF Spezifikationen Ähnliche Produkte anzeigen (99+)
    TYP
    BESCHREIBUNG
    AUSWÄHLEN
    Hersteller
    Infineon
    Kategorie
    MOSFETs
    3D-Modell
     3D-Modell
    Montagesmethoden
    Surface Mount
    Anzahl von Pins
    8 Pin
    Verpackung
    SOIC-8
    Nennleistung
    2 W
    Pinzahl
    8 Position
    Drain-Source-Widerstand
    0.017 Ω
    Polarität
    P-CH
    Verlustleistung
    2 W
    Schwellenspannung
    2.5 V
    Drain-Source-Spannung (Vds)
    30 V
    Dauer-Drain-Strom (Ids)
    8A
    Anstiegszeit
    15 ns
    Eingangskapazität (Ciss)
    2675pF @25V(Vds)
    Eingangsleistung (max.)
    2 W
    Abfallzeit
    98 ns
    Betriebstemperatur (max.)
    150 ℃
    Betriebstemperatur (Min)
    -55 ℃
    Verlustleistung (max)
    2 W
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    2011/06/15
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    Größe & Paket
    TYP
    BESCHREIBUNG
    Länge
    5 mm
    Breite
    4 mm
    Höhe
    1.5 mm
    Betriebstemperatur
    -55℃ ~ 150℃ (TJ)
    Produktlebenszyklus
    Active
    Verpackungsmethoden
    Tape & Reel (TR)
    Umwelt
    TYP
    BESCHREIBUNG
    RoHS-Standard
    RoHS Compliant
    Bleifreier Status
    Lead Free
    REACH SVHC Compliance Edition
    2015/12/17
    Funktionsübersicht
    • The IRF7328TRPBF is a dual P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications.
    • Trench technology
    • Ultra low ON-resistance

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    • - Sorgfältig geprüft und verpackt von AiPCBA
      - Vakuumverpackung
      - Antistatische Verpackung
      - Antivibrationsschaum
    • - Einkommensqualitätskontrolle (IQC), über 800 qualifizierte Vertriebspartner.
      - 500 m² Labor für fortschrittliche Komponententests, Fälschungserkennung, RoHS-konform usw.
      - 2000 m² digitales Komponentenlager, konstante Temperatur und Luftfeuchtigkeit
      - Entkapselungsinspektion
      - Röntgeninspektion
      - XRF-Inspektion
      - Elektrische Prüfung
      - Oberflächenprüfung
    • - Substandard- und Fälschungserkennung
      - Fehleranalyse
      - Elektrische Prüfung
      - Lebenszyklus- und Zuverlässigkeitstests
      - AiPCBA hat 2021 ein Komponententestlabor eingerichtet
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    Teile beziehen: IRF7328 Datenblatt PDF

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