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FQD16N25CTM Bestand und Preise

Fairchild Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 250V, 0.27Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3
€ 0.65
FQD16N25CTM
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FQD16N25CTM Fairchild
Fairchild
  • Hersteller:
    Fairchild
  • Hersteller-Nr:
    FQD16N25CTM
  • AiPCBA-Teilenummer:
    CM12004355
  • Preis (EUR):
    €
    0.65
  • AiPCBA-Lager:
    9,560 Stk
  • Verfügbarkeit:
    7,532 Stück auf Lager
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  • Produktkategorie:
    MOSFETs
  • Produktbeschreibung:
    Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 250V, 0.27Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3
  • Dokumentation:
    Datenblatt
    3D-Modell
FQD16N25CTM Kaufen FQD16N25CTM Bestand & Preis aktualisiert um 2024-08-11 03:50:22
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    Teilenummer: FQD16N25CTM
    AiPCBA P/N: CM12004355
    Hersteller: Fairchild
    Paket: TO-252-3
    Preis
    €
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    Gesamt: 17,092 Stk
    MOQ: 1
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    FQD16N25CTM Spezifikationen Ähnliche Produkte anzeigen (99+)
    TYP
    BESCHREIBUNG
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    Hersteller
    Fairchild
    Kategorie
    MOSFETs
    3D-Modell
     3D-Modell
    Montagesmethoden
    Surface Mount
    Anzahl von Pins
    3 Pin
    Verpackung
    TO-252-3
    Nennspannung (DC)
    250 V
    Nennstrom
    16.0 A
    Pinzahl
    3 Position
    Drain-Source-Widerstand
    220 mΩ
    Polarität
    N-Channel
    Verlustleistung
    160 W
    Schwellenspannung
    4 V
    Drain-Source-Spannung (Vds)
    250 V
    Drain-Source-Durchschlagsspannung
    250 V
    Gate-Source-Durchschlagsspannung
    ±30.0 V
    Dauer-Drain-Strom (Ids)
    16.0 A
    Anstiegszeit
    130 ns
    Eingangskapazität (Ciss)
    1080pF @25V(Vds)
    Eingangsleistung (max.)
    160 W
    Abfallzeit
    105 ns
    Betriebstemperatur (max.)
    150 ℃
    Betriebstemperatur (Min)
    -55 ℃
    Verlustleistung (max)
    160 W
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    FQD16N25CTM Anderes Datenblatt
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    FQD16N25CTM Andere Referenzen
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    2011/06/15
    Ansicht
    Größe & Paket
    TYP
    BESCHREIBUNG
    Länge
    6.6 mm
    Breite
    6.1 mm
    Höhe
    2.3 mm
    Betriebstemperatur
    -55℃ ~ 150℃ (TJ)
    Produktlebenszyklus
    Active
    Verpackungsmethoden
    Tape & Reel (TR)
    FQD16N25CTM Datenblatt >
    Umwelt
    TYP
    BESCHREIBUNG
    RoHS-Standard
    RoHS Compliant
    Bleifreier Status
    Lead Free
    REACH SVHC-Standard
    No SVHC
    REACH SVHC Compliance Edition
    2015/06/15
    FQD16N25CTM Datenblatt >
    Exportklassifikationen
    TYP
    BESCHREIBUNG
    ECCN Code
    EAR99
    HK STC Lizenz
    NLR
    FQD16N25CTM Datenblatt >
    Funktionsübersicht
    • The FQD16N25CTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor"s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
    • 100% Avalanche tested
    • 41nC Typical low gate charge
    • 68pF Typical low Crss
    FQD16N25CTM Datenblatt >

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    Bestelldetails & relevante Informationen
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      - MOQ bedeutet die Mindestbestellmenge, die erforderlich ist, um jedes Teil zu kaufen.
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    • - Sorgfältig geprüft und verpackt von AiPCBA
      - Vakuumverpackung
      - Antistatische Verpackung
      - Antivibrationsschaum
    • - Einkommensqualitätskontrolle (IQC), über 800 qualifizierte Vertriebspartner.
      - 500 m² Labor für fortschrittliche Komponententests, Fälschungserkennung, RoHS-konform usw.
      - 2000 m² digitales Komponentenlager, konstante Temperatur und Luftfeuchtigkeit
      - Entkapselungsinspektion
      - Röntgeninspektion
      - XRF-Inspektion
      - Elektrische Prüfung
      - Oberflächenprüfung
    • - Substandard- und Fälschungserkennung
      - Fehleranalyse
      - Elektrische Prüfung
      - Lebenszyklus- und Zuverlässigkeitstests
      - AiPCBA hat 2021 ein Komponententestlabor eingerichtet
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