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FDG311N Bestand und Preise

Fairchild Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 6Pin SC-70 T/R
0.29
FDG311N
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FDG311N Fairchild
Fairchild
  • Hersteller:
    Fairchild
  • Hersteller-Nr:
    FDG311N
  • AiPCBA-Teilenummer:
    CM64452403
  • Preis (EUR):
    0.29
  • AiPCBA-Lager:
    9,206 Stk
  • Verfügbarkeit:
    7,224 Stück auf Lager
    Lagerbestand des Lieferanten, muss mit dem Verkauf bestätigt werden
  • Produktkategorie:
    MOSFETs
  • Produktbeschreibung:
    Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 6Pin SC-70 T/R
  • Dokumentation: RoHS-konform 3D-Modell
FDG311N Kaufen FDG311N Bestand & Preis aktualisiert um 2024-07-04 03:50:22
  • Aktualisieren
    Teilenummer: FDG311N
    AiPCBA P/N: CM64452403
    Hersteller: Fairchild
    Preis
    0.29
    Gesamt: 16,430 Stk
    MOQ: 1
    Versand von: Lagerhaus Hongkong
    Versanddatum: 2024/07/09 (erwartet)
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    Kürzlich haben wir festgestellt, dass Kriminelle vorgaben, AiPCBA zu sein, um zu betrügen oder zu versuchen, Fälschungen zu verkaufen ausgefallene Komponenten zu günstigen Preisen.
    AiPCBA hat ein Komponentenprüflabor im Jahr 2021 mit dem Ziel, qualitätsgesicherte Komponenten bereitzustellen.
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    FDG311N Spezifikationen Ähnliche Produkte anzeigen (99+)
    TYP
    BESCHREIBUNG
    AUSWÄHLEN
    Hersteller
    Fairchild
    Kategorie
    MOSFETs
    3D-Modell
     3D-Modell
    Montagesmethoden
    Surface Mount
    Anzahl von Pins
    6 Pin
    Verpackung
    SC-70-6
    Nennspannung (DC)
    20.0 V
    Nennstrom
    1.90 A
    Pinzahl
    6 Position
    Drain-Source-Widerstand
    0.115 Ω
    Polarität
    N-Channel
    Verlustleistung
    750 mW
    Schwellenspannung
    900 mV
    Input-Kapazität
    270 pF
    Gate-Ladung
    3.00 nC
    Drain-Source-Spannung (Vds)
    20 V
    Drain-Source-Durchschlagsspannung
    20.0 V
    Gate-Source-Durchschlagsspannung
    ±8.00 V
    Dauer-Drain-Strom (Ids)
    1.90 A
    Anstiegszeit
    9 ns
    Eingangskapazität (Ciss)
    270pF @10V(Vds)
    Eingangsleistung (max.)
    480 mW
    Abfallzeit
    2 ns
    Betriebstemperatur (max.)
    150 ℃
    Betriebstemperatur (Min)
    -55 ℃
    Verlustleistung (max)
    750mW (Ta)
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    FDG311N Datenblatt-PDF
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    2000/03/28
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    Größe & Paket
    TYP
    BESCHREIBUNG
    Länge
    2 mm
    Breite
    1.25 mm
    Höhe
    1 mm
    Betriebstemperatur
    -55℃ ~ 150℃ (TJ)
    Produktlebenszyklus
    Active
    Verpackungsmethoden
    Tape & Reel (TR)
    Umwelt
    TYP
    BESCHREIBUNG
    RoHS-Standard
    RoHS Compliant
    Bleifreier Status
    Lead Free
    REACH SVHC Compliance Edition
    2015/06/15
    Exportklassifikationen
    TYP
    BESCHREIBUNG
    ECCN Code
    EAR99
    Funktionsübersicht
    • N-Channel 2.5V Specified Power Trench MOSFET General Description This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor"s advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices are well suited for portable electronics applications. Applications • Load switch • Power management • DC/DC converter Features • Low gate charge. • High performance trench technology for extremely low RDS(ON). • Compact industry standard SC70-6 surface mount package.

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      - Lieferdatum: normalerweise 2 bis 7 Werktage.
      - Tracking-Nummer wird gesendet, sobald Ihre Bestellung versandt wurde.
    • - Sorgfältig geprüft und verpackt von AiPCBA
      - Vakuumverpackung
      - Antistatische Verpackung
      - Antivibrationsschaum
    • - Einkommensqualitätskontrolle (IQC), über 800 qualifizierte Vertriebspartner.
      - 500 m² Labor für fortschrittliche Komponententests, Fälschungserkennung, RoHS-konform usw.
      - 2000 m² digitales Komponentenlager, konstante Temperatur und Luftfeuchtigkeit
      - Entkapselungsinspektion
      - Röntgeninspektion
      - XRF-Inspektion
      - Elektrische Prüfung
      - Oberflächenprüfung
    • - Substandard- und Fälschungserkennung
      - Fehleranalyse
      - Elektrische Prüfung
      - Lebenszyklus- und Zuverlässigkeitstests
      - AiPCBA hat 2021 ein Komponententestlabor eingerichtet
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