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BDX33C Bestand und Preise

ST Microelectronics Trans Darlington NPN 100V 10A 70000mW 3Pin(3+Tab) TO-220 Tube
0.53
BDX33C
Das gezeigte Bild ist nur eine Darstellung. Genaue Spezifikationen sind dem Produktdatenblatt zu entnehmen.
BDX33C ST Microelectronics
ST Microelectronics
  • Hersteller:
    ST Microelectronics
  • Hersteller-Nr:
    BDX33C
  • AiPCBA-Teilenummer:
    CM2444486
  • Preis (EUR):
    0.53
  • AiPCBA-Lager:
    1,000 Stk
  • Verfügbarkeit:
    209 Stück auf Lager
    Lagerbestand des Lieferanten, muss mit dem Verkauf bestätigt werden
  • Produktkategorie:
    Bipolartransistor
  • Produktbeschreibung:
    Trans Darlington NPN 100V 10A 70000mW 3Pin(3+Tab) TO-220 Tube
  • Dokumentation: RoHS-konform 3D-Modell
BDX33C Kaufen BDX33C Bestand & Preis aktualisiert um 2024-07-04 03:50:22
  • Aktualisieren
    Teilenummer: BDX33C
    AiPCBA P/N: CM2444486
    Hersteller: ST Microelectronics
    Preis
    0.53
    Gesamt: 1,209 Stk
    MOQ: 1
    Versand von: Lagerhaus Hongkong
    Versanddatum: 2024/07/09 (erwartet)
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    TYP
    BESCHREIBUNG
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    Hersteller
    ST Microelectronics
    Kategorie
    Bipolartransistor
    3D-Modell
     3D-Modell
    Montagesmethoden
    Through Hole
    Anzahl von Pins
    3 Pin
    Verpackung
    TO-220-3
    Pinzahl
    3 Position
    Polarität
    NPN
    Verlustleistung
    70 W
    Durchschlagsspannung (Kollektor-Emitter)
    100 V
    hFE Min
    750 @3A, 3V
    Eingangsleistung (max.)
    70 W
    Gleichstromverstärkung (hFE)
    750
    Betriebstemperatur (max.)
    150 ℃
    Betriebstemperatur (Min)
    -65 ℃
    Verlustleistung (max)
    70000 mW
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    Größe & Paket
    TYP
    BESCHREIBUNG
    Länge
    10.4 mm
    Breite
    4.6 mm
    Höhe
    9.15 mm
    Betriebstemperatur
    150℃ (TJ)
    Produktlebenszyklus
    Active
    Verpackungsmethoden
    Tube
    Umwelt
    TYP
    BESCHREIBUNG
    RoHS-Standard
    RoHS Compliant
    Bleifreier Status
    Lead Free
    REACH SVHC-Standard
    No SVHC
    REACH SVHC Compliance Edition
    2015/12/17
    Exportklassifikationen
    TYP
    BESCHREIBUNG
    ECCN Code
    EAR99
    Funktionsübersicht
    • The BDX33C is a NPN complementary silicon power Darlington Transistor with built-in epitaxial planar technology. Designed for use in power linear and switching applications.
    • Complement to BDX34C
    • 0.25A Base current

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      - Vakuumverpackung
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      - 500 m² Labor für fortschrittliche Komponententests, Fälschungserkennung, RoHS-konform usw.
      - 2000 m² digitales Komponentenlager, konstante Temperatur und Luftfeuchtigkeit
      - Entkapselungsinspektion
      - Röntgeninspektion
      - XRF-Inspektion
      - Elektrische Prüfung
      - Oberflächenprüfung
    • - Substandard- und Fälschungserkennung
      - Fehleranalyse
      - Elektrische Prüfung
      - Lebenszyklus- und Zuverlässigkeitstests
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