STGWT80H65DFB

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STGWT80H65DFB Datenblatt-PDF - ST Microelectronics

Hersteller:
ST Microelectronics
Kategorie:
IGBT Transistor, IGBT Module
Fallpaket:
TO-3-3
Beschreibung:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 469000mW 3Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Dokumentation:

STGWT80H65DFB Datenblatt PDF (22 Seiten) heiß

Abmessungen des Paketumrisses on Seite 12 Seite 13 Seite 14 Seite 15 Seite 16

Aktualisierte Zeit: 2023/11/29 02:45:45 (UTC+8)

STGWT80H65DFB Datenblatt-PDF (22 Seiten)

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Anwendungsbereich

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Technische Daten

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Elektrische Spezifikation

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Elektrische Spezifikation

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STGWT80H65DFB Datenblatt PDF

ST Microelectronics

22 Seiten, 1459 KB

STGWT80H65 Datenblatt-PDF

STGWT80H65DFB
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ST Microelectronics

Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 469000mW 3Pin(3+Tab) TO-3P Tube

STGWT80H65FB
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Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 469000mW 3Pin(3+Tab) TO-3P Tube

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