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SIHP30N60E-GE3 Datenblatt-PDF - Vishay Intertechnology

Hersteller:
Vishay Intertechnology
Fallpaket:
TO-220
Beschreibung:
Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
Dokumentation:

SIHP30N60E-GE3 Datenblatt PDF (9 Seiten) heiß

Aktualisierte Zeit: 2023/11/28 06:45:32 (UTC+8)

SIHP30N60E-GE3 Datenblatt-PDF (9 Seiten)

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SIHP30N60E-GE3 Dokumente

SIHP30N60E-GE3 Datenblatt PDF

Vishay Intertechnology

9 Seiten, 284 KB

SIHP30N60 Datenblatt-PDF

SIHP30N60E-GE3
Datenblatt PDF

VISHAY

TO-220-3 N-CH 600V 29A 125mΩ

SIHP30N60E-E3
Datenblatt PDF

VISHAY

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3Pin(3+Tab) TO-220AB

SIHP30N60E-E3
Datenblatt PDF

Vishay Semiconductor

VISHAY SIHP30N60E-E3 Power MOSFET, N Channel, 29A, 600V, 0.104Ω, 10V, 2V

SIHP30N60E-E3
Datenblatt PDF

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB

SIHP30N60E-GE3
Datenblatt PDF

Vishay Semiconductor

VISHAY SIHP30N60E-GE3 Power MOSFET, N Channel, 29A, 600V, 0.104Ω, 10V, 2V

SIHP30N60E-GE3
Datenblatt PDF

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MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB

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