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SIHG22N60S-E3 Datenblatt-PDF - Vishay Semiconductor

Hersteller:
Vishay Semiconductor
Kategorie:
High Voltage MOS Transistor
Fallpaket:
TO-247
Beschreibung:
VISHAY SIHG22N60S-E3 Power MOSFET, N Channel, 22A, 600V, 160mohm, 10V, 4V
Dokumentation:

SIHG22N60S-E3 Datenblatt PDF (8 Seiten) heiß

Abmessungen des Paketumrisses on Seite 7

Teilenummerierungssystem on Seite 1

Aktualisierte Zeit: 2024/06/28 21:29:53 (UTC+8)

SIHG22N60S-E3 Datenblatt-PDF (8 Seiten)

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Anwendungsbereich

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Technische Daten

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SIHG22N60S-E3 Dokumente

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