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SI9945BDY-T1-GE3 Datenblatt-PDF - Vishay Intertechnology

Aktualisierte Zeit: 2024/04/28 10:21:33 (UTC+8)

SI9945BDY-T1-GE3 Datenblatt-PDF (11 Seiten)

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SI9945BDY-T1-GE3 Dokumente

SI9945BDY-T1-GE3 Datenblatt PDF

Vishay Intertechnology

11 Seiten, 270 KB

VISHAY

SOIC-8 Dual N 60V 4.3A 58mΩ

Vishay Siliconix

MOSFET; Dual N-Ch; Vds 60V; Vgs +/- 20V; Rds(on) 46mohm; Id 5.3; SO-8; Pd 3.1W

VISHAY

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 5.3A; 3.1W; SO8

Vishay Semiconductor

MOSFET, Dual N-Ch, Vds 60V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 46mohm, Id 5.3, SO-8, Pd 3.1W

Vishay Semiconductor

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 5.3A; 3.1W; SO8

Vishay Intertechnology

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