SI4435DDY-T1-GE3

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SI4435DDY-T1-GE3 Datenblatt-PDF - Vishay Semiconductor

Hersteller:
Vishay Semiconductor
Kategorie:
MOSFET, MOSFET Transistor
Fallpaket:
SOIC-8
Beschreibung:
MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -30V; RDS(ON) 0.015Ω; ID -7A; SO-8; PD 1.5W; VGS +/-20V; -55
Dokumentation:

SI4435DDY-T1-GE3 Datenblatt PDF (10 Seiten) heiß

Abmessungen des Paketumrisses on Seite 7 Seite 8

Teilenummerierungssystem on Seite 1

Aktualisierte Zeit: 2024/05/29 10:38:20 (UTC+8)

SI4435DDY-T1-GE3 Datenblatt-PDF (10 Seiten)

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Anwendungsbereich

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Technische Daten

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