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Teiledatenblatt > MOSFET, MOSFET Transistor > VISHAY > SI2377EDS-T1-GE3 Datenblatt-PDF
SI2377EDS-T1-GE3
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SI2377EDS-T1-GE3 Datenblatt-PDF - VISHAY

Aktualisierte Zeit: 2024/03/30 03:32:54 (UTC+8)
SI2377EDS-T1-GE3 Datenblatt-PDF (7 Seiten)
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SI2377EDS-T1-GE3 Dokumente

SI2377EDS-T1-GE3 Datenblatt PDF
VISHAY
7 Seiten, 127 KB
SI2377EDS-T1-GE3 Anderes Datenblatt
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11 Seiten, 236 KB
SI2377EDS-T1-GE3 Notizdatei
VISHAY
2 Seiten, 103 KB

SI2377EDST1 Datenblatt-PDF

SI2377EDS-T1-GE3
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SOT-23-3P-CH 20V 4.4A 50mΩ
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Vishay Siliconix
SI2377EDS-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 3.5A, 20V, 3Pin TO-236
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Vishay Semiconductor
* Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition * TrenchFET® Power MOSFET * 100% Rg Tested * Typical ESD Performance 2000V * Built in ESD Protection with Zener Diode * Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
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