SI2333DS-T1-GE3 Datenblatt-PDF - VISHAY

SI2333DS-T1-GE3 Datenblatt PDF

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10 Seiten, 196 KB

SI2333DS-T1-GE3 Anderes Datenblatt

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10 Seiten, 198 KB

SI2333DS-T1-GE3 Notizdatei

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2 Seiten, 103 KB

SI2333DS-T1
Anderes Datenblatt

VISHAY

SOT-23P-CH 12V 4.1A

SI2333DS-T1
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Vishay Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3Pin SOT-23 T/R

SI2333DS-T1
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Vishay Intertechnology

Transistor

SI2333DS-T1
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Vishay Siliconix

Small Signal Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236, TO-236, 3 PIN

SI2333DS-T1-E3
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VISHAY

SOT-23-3P-CH 12V 4.1A 32mΩ

SI2333DS-T1-E3
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Vishay Siliconix

MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -12V; RDS(ON) 0.025Ω; ID -4.1A; TO-236 (SOT-23); PD 0.75W

SI2333DS-T1-E3
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Vishay Semiconductor

MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -12V; RDS(ON) 0.025Ω; ID -4.1A; TO-236 (SOT-23); PD 0.75W

SI2333DS-T1-GE3
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SOT-23-3P-CH 12V 4.1A 32mΩ

SI2333DS-T1-GE3
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Vishay Siliconix

Trans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3Pin SOT-23 T/R

SI2333DS-T1-GE3
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Vishay Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3Pin SOT-23 T/R