SGB15N60HS Datenblatt-PDF - Infineon

Aktualisierte Zeit: 2023/12/06 05:00:14 (UTC+8)

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SGB15N60HS Dokumente

SGB15N60HS Datenblatt PDF

Infineon

11 Seiten, 816 KB

SGB15N60HS Anderes Datenblatt

Infineon

12 Seiten, 789 KB

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 3Pin(2+Tab) TO-263

Siemens Semiconductor

Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 27A 3Pin(2+Tab) TO-263

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 3Pin(2+Tab) TO-263

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 27A 3Pin(2+Tab) TO-263

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 27A 3Pin(2+Tab) TO-263

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