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SCT2H12NYTB Datenblatt-PDF - ROHM Semiconductor

Hersteller:
ROHM Semiconductor
Kategorie:
MOSFET, MOSFET Transistor
Fallpaket:
TO-268-3
Beschreibung:
TO-268L N-CH 1700V 4A
Dokumentation:

SCT2H12NYTB Datenblatt PDF (16 Seiten) heiß

SCT2H12NYTB Anwendungshinweis (41 Seiten)

Aktualisierte Zeit: 2023/11/29 12:35:07 (UTC+8)

SCT2H12NYTB Datenblatt-PDF (16 Seiten)

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SCT2H12NYTB Dokumente

SCT2H12NYTB Datenblatt PDF

ROHM Semiconductor

16 Seiten, 855 KB

SCT2H12NYTB Anderes Datenblatt

ROHM Semiconductor

15 Seiten, 1104 KB

SCT2H12NYTB Anwendungshinweis

ROHM Semiconductor

41 Seiten, 904 KB

ROHM Semiconductor

Silicon Carbide Power MOSFET, N Channel, 3.7A, 1.7kV, 1.15Ω, 18V, 2.8V

ROHM Semiconductor

TO-268L N-CH 1700V 4A

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