MRFE6VP100HR5

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MRFE6VP100HR5 Datenblatt-PDF - NXP

Hersteller:
NXP
Kategorie:
Transistor
Fallpaket:
NI-780-4
Beschreibung:
RF Power Transistor,1.8 to 2000MHz, 100W, Typ Gain in dB is 27.2 @ 512MHz, 50V, LDMOS, SOT1827
Dokumentation:

MRFE6VP100HR5 Benutzerreferenzhandbuch (48 Seiten) heiß

MRFE6VP100HR5 Anwendungshinweis (20 Seiten)

Aktualisierte Zeit: 2023/11/24 19:43:21 (UTC+8)

MRFE6VP100HR5 Datenblatt-PDF (48 Seiten)

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MRFE6VP100HR5 Dokumente

MRFE6VP100HR5 Benutzerreferenzhandbuch

NXP

48 Seiten, 2926 KB

MRFE6VP100HR5 Anderes Datenblatt

NXP

30 Seiten, 303 KB

MRFE6VP100HR5 Anwendungshinweis

NXP

20 Seiten, 1014 KB

MRFE6VP100HR5 Verpackung

NXP

2 Seiten, 47 KB

MRFE6VP100HR5 Notizdatei

NXP

2 Seiten, 190 KB

MRFE6VP100 Datenblatt-PDF

MRFE6VP100HR5
Benutzerreferenzhandbuch

NXP

RF Power Transistor,1.8 to 2000MHz, 100W, Typ Gain in dB is 27.2 @ 512MHz, 50V, LDMOS, SOT1827

MRFE6VP100HSR5
Benutzerreferenzhandbuch

NXP

RF Power Transistor,1.8 to 2000MHz, 100W, Typ Gain in dB is 27.2 @ 512MHz, 50V, LDMOS, SOT1826

MRFE6VP100HR5
Anwendungshinweis

Freescale

RF MOSFET Transistors VHV6 100W 50V ISM

MRFE6VP100HSR5
Anwendungshinweis

Freescale

RF MOSFET Transistors VHV6 100W 50V ISM

MRFE6VP100HS
Benutzerreferenzhandbuch

NXP

Broadband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-2000MHz, 100W, 50V

MRFE6VP100H
Benutzerreferenzhandbuch

NXP

Broadband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-2000MHz, 100W, 50V

MRFE6VP100HR5
Anwendungshinweis

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