MRFE6VP100H Datenblatt-PDF - NXP

Hersteller:
NXP
Fallpaket:
CFM4F
Beschreibung:
Broadband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-2000MHz, 100W, 50V
Dokumentation:

MRFE6VP100H Benutzerreferenzhandbuch (48 Seiten) heiß

MRFE6VP100H Anwendungshinweis (20 Seiten)

Aktualisierte Zeit: 2023/11/25 04:35:28 (UTC+8)

MRFE6VP100H Datenblatt-PDF (48 Seiten)

Klicken Sie auf die Seite, um Datenblattdetails anzuzeigen

Klicken Sie auf Neu laden, um die Fehlerseite zu beheben >

MRFE6VP100H Dokumente

MRFE6VP100H Benutzerreferenzhandbuch

NXP

48 Seiten, 2926 KB

MRFE6VP100H Anderes Datenblatt

NXP

2 Seiten, 42 KB

MRFE6VP100H Anwendungshinweis

NXP

20 Seiten, 1282 KB

MRFE6VP100H Verpackung

NXP

2 Seiten, 47 KB

NXP

RF Power Transistor,1.8 to 2000MHz, 100W, Typ Gain in dB is 27.2 @ 512MHz, 50V, LDMOS, SOT1827

NXP

RF Power Transistor,1.8 to 2000MHz, 100W, Typ Gain in dB is 27.2 @ 512MHz, 50V, LDMOS, SOT1826

Freescale

RF MOSFET Transistors VHV6 100W 50V ISM

Freescale

RF MOSFET Transistors VHV6 100W 50V ISM

NXP

Broadband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-2000MHz, 100W, 50V

NXP

Broadband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-2000MHz, 100W, 50V

Avnet

Datenblatt-PDF-Suche

Suche

100 Millionen Datenblatt-PDF, aktualisieren Sie mehr als 5.000 PDF-Dateien pro Tag.

Teile beziehen

MAX232 FGH40N60SMD ISO1050DUBR PCM2902E BA4558 TPS74801DRCRG4 MPX4250AP DS2502+ UC3526 PIC18F27J53-I/SS

AD8400 AD8400ARZ10 AD8400ARZ1-REEL AD8400ARZ100 AD8400AR50 13-10-1 RG174 NCP694H12HT1G ISD4004-08MPY TIP135 OMAPL138EZCED4E

Beliebte Suche