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IRLZ24 Datenblatt-PDF - Samsung

Hersteller:
Samsung
Fallpaket:
TO-220
Beschreibung:
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
Dokumentation:

IRLZ24 Datenblatt PDF (11 Seiten) heiß

Abmessungen des Paketumrisses on Seite 8 Seite 9

Aktualisierte Zeit: 2024/05/29 06:41:20 (UTC+8)

IRLZ24 Datenblatt-PDF (11 Seiten)

1

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Technische Daten

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Elektrische Spezifikation

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IRLZ24 Datenblatt PDF

Samsung

11 Seiten, 198 KB

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