IRLU120NPBF Datenblatt-PDF - Infineon

IRLU120NPBF Datenblatt PDF

Infineon

11 Seiten, 271 KB

IRLU120NPBF Benutzerreferenzhandbuch

Infineon

270 Seiten, 11877 KB

IRLU120NPBF Anderes Datenblatt

Infineon

30 Seiten, 664 KB

IRLU120NPBF Diagramme zeichnen

Infineon

2 Seiten, 176 KB

IRLU120NPBF Anwendungshinweis

Infineon

37 Seiten, 2068 KB

IRLU120NPBF Notizdatei

Infineon

6 Seiten, 163 KB

IRLU120NPBF Andere Referenzen

Infineon

1 Seiten, 158 KB

IRLU120
Datenblatt PDF

Vishay Intertechnology

Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, IPAK-3

IRLU120
Datenblatt PDF

Vishay Siliconix

Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, IPAK-3

IRLU120
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Samsung

Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3

IRLU120
Datenblatt PDF

Infineon

Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, LEAD FREE, PLASTIC, IPAK-3

IRLU120
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International Rectifier

(IRLR120 / IRLU120) HEXFET Power MOSFET

IRLU120
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Fairchild

Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, IPAK-3

IRLU120
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VISHAY

IPAK N-CH 100V 7.7A

IRLU120
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Vishay Semiconductor

POWER MOSFET

IRLU120NPBF
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Infineon

IPAK N-CH 100V 10A

IRLU120NPBF
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International Rectifier

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.185Ω; ID 10A; I-Pak (TO-251AA); PD 48W