IRLR8726TR Datenblatt-PDF - Infineon

Hersteller:
Infineon
Beschreibung:
Power Field-Effect Transistor, 86A I(D), 30V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK, 3 PIN
Dokumentation:

IRLR8726TR Datenblatt PDF (11 Seiten) heiß

Abmessungen des Paketumrisses on Seite 8 Seite 9

Teilenummerierungssystem on Seite 1

Aktualisierte Zeit: 2024/05/30 05:43:07 (UTC+8)

IRLR8726TR Datenblatt-PDF (11 Seiten)

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IRLR8726TR Datenblatt PDF

Infineon

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IRLR8726 Datenblatt-PDF

IRLR8726
Datenblatt PDF

Infineon

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package

IRLR8726
Datenblatt PDF

International Rectifier

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package

IRLR8726TRPBF
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Infineon

DPAK N-CH 30V 86A

IRLR8726PBF
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Infineon

DPAK N-CH 30V 86A

IRLR8726TRLPBF
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Infineon

DPAK N-CH 30V 86A

IRLR8726TRPBF
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International Rectifier

Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

IRLR8726TRLPBF
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International Rectifier

Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

IRLR8726PBF
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International Rectifier

The IRLR8726PBF is a 30V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. Suitable for high frequency synchronous buck, converters for computer processor power, high frequency isolated DC-DC converters with synchronous rectification for telecom and industrial use.

IRLR8726TR
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Infineon

Power Field-Effect Transistor, 86A I(D), 30V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK, 3 PIN

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