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IRLR024 Datenblatt-PDF - Samsung

Hersteller:
Samsung
Beschreibung:
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3
Dokumentation:

IRLR024 Datenblatt PDF (11 Seiten) heiß

Abmessungen des Paketumrisses on Seite 8 Seite 9

Aktualisierte Zeit: 2024/05/29 09:55:49 (UTC+8)

IRLR024 Datenblatt-PDF (11 Seiten)

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Technische Daten

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Elektrische Spezifikation

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