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IRL540 Datenblatt-PDF - Samsung

Hersteller:
Samsung
Fallpaket:
TO-220
Beschreibung:
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
Dokumentation:

IRL540 Datenblatt PDF (11 Seiten) heiß

Abmessungen des Paketumrisses on Seite 8 Seite 9

Aktualisierte Zeit: 2023/11/21 18:02:27 (UTC+8)

IRL540 Datenblatt-PDF (11 Seiten)

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Technische Daten

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Elektrische Spezifikation

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11 Seiten, 188 KB

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