IRG4BC30F Datenblatt-PDF - International Rectifier

Aktualisierte Zeit: 2024/04/30 22:20:19 (UTC+8)

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IRG4BC30F Dokumente

IRG4BC30F Datenblatt PDF

International Rectifier

35 Seiten, 88 KB

IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 100000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 100000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 100000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK Tube

Infineon

INFINEON IRG4BC30FD-SPBF IGBT Single Transistor, 31A, 1.8V, 100W, 600V, TO-263, 3Pins

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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