IRFZ14 Datenblatt-PDF - Samsung

Hersteller:
Samsung
Fallpaket:
SFM
Beschreibung:
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
Dokumentation:

IRFZ14 Datenblatt PDF (10 Seiten) heiß

Aktualisierte Zeit: 2024/06/28 20:08:43 (UTC+8)

IRFZ14 Datenblatt-PDF (10 Seiten)

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IRFZ14 Datenblatt PDF

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10 Seiten, 1662 KB

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