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IRFU9120 Datenblatt-PDF - Samsung

Hersteller:
Samsung
Beschreibung:
Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3
Dokumentation:

IRFU9120 Datenblatt PDF (11 Seiten) heiß

Abmessungen des Paketumrisses on Seite 8 Seite 9

Aktualisierte Zeit: 2023/11/22 19:20:01 (UTC+8)

IRFU9120 Datenblatt-PDF (11 Seiten)

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Technische Daten

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Elektrische Spezifikation

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IRFU9120 Datenblatt PDF

Samsung

11 Seiten, 123 KB

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