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IRFU220 Datenblatt-PDF - Samsung

Hersteller:
Samsung
Beschreibung:
Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3
Dokumentation:

IRFU220 Datenblatt PDF (11 Seiten) heiß

Abmessungen des Paketumrisses on Seite 8 Seite 9

Teilenummerierungssystem on Seite 11

Aktualisierte Zeit: 2024/05/29 04:05:57 (UTC+8)

IRFU220 Datenblatt-PDF (11 Seiten)

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Markierungsinformationen

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Technische Daten

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Elektrische Spezifikation

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