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IRFR9110PBF Datenblatt-PDF - VISHAY

Hersteller:
VISHAY
Kategorie:
MOSFET, MOSFET Transistor
Fallpaket:
TO-252-3
Beschreibung:
TO-252-3P-CH 100V 3.1A 1.2Ω
Dokumentation:

IRFR9110PBF Datenblatt PDF (11 Seiten) heiß

Abmessungen des Paketumrisses on Seite 8 Seite 9

Aktualisierte Zeit: 2024/05/29 16:50:31 (UTC+8)

IRFR9110PBF Datenblatt-PDF (11 Seiten)

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IRFR9110PBF Dokumente

IRFR9110PBF Datenblatt PDF

VISHAY

11 Seiten, 1859 KB

IRFR9110PBF Anderes Datenblatt

VISHAY

11 Seiten, 787 KB

IRFR9110 Datenblatt-PDF

IRFR9110
Datenblatt PDF

Intersil

3.1A, 100V, 1.2Ω, P-Channel Power MOSFETs

IRFR9110
Anderes Datenblatt

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK

IRFR9110
Anwendungshinweis

Fairchild

Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3Pin TO-252

IRFR9110
Datenblatt PDF

VISHAY

MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK

IRFR9110
Anderes Datenblatt

Vishay Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3Pin(2+Tab) DPAK

IRFR9110
Anwendungshinweis

Vishay Intertechnology

Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3

IRFR9110
Anwendungshinweis

Samsung

Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3

IRFR9110TRPBF
Datenblatt PDF

VISHAY

TO-252-3P-CH 100V 3.1A 1.2Ω

IRFR9110PBF
Datenblatt PDF

VISHAY

TO-252-3P-CH 100V 3.1A 1.2Ω

IRFR9110TRPBF
Datenblatt PDF

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK

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