IRFR220 Datenblatt-PDF - Samsung

Hersteller:
Samsung
Beschreibung:
Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3
Dokumentation:

IRFR220 Anderes Datenblatt (11 Seiten) heiß

Aktualisierte Zeit: 2024/05/29 10:34:03 (UTC+8)

IRFR220 Datenblatt-PDF (11 Seiten)

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IRFR220 Anderes Datenblatt

Samsung

11 Seiten, 137 KB

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