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IRFP250 Datenblatt-PDF - Harris

Hersteller:
Harris
Beschreibung:
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Dokumentation:

IRFP250 Anderes Datenblatt (9 Seiten) heiß

Aktualisierte Zeit: 2024/04/28 12:37:16 (UTC+8)

IRFP250 Datenblatt-PDF (9 Seiten)

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IRFP250 Anderes Datenblatt

Harris

9 Seiten, 181 KB

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