IRFP150 Datenblatt-PDF - Samsung

Hersteller:
Samsung
Fallpaket:
TO-3
Beschreibung:
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN
Dokumentation:

IRFP150 Datenblatt PDF (7 Seiten) heiß

Aktualisierte Zeit: 2024/05/29 12:10:46 (UTC+8)

IRFP150 Datenblatt-PDF (7 Seiten)

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IRFP150 Datenblatt PDF

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