IRFIBE30G Datenblatt-PDF - International Rectifier

Hersteller:
International Rectifier
Kategorie:
MOSFET, MOSFET Transistor
Beschreibung:
HEXFET power MOSFET. VDSS = 800V, RDS(on) = 3Ω, ID = 2.1A
Dokumentation:

IRFIBE30G Datenblatt PDF (5 Seiten) heiß

Aktualisierte Zeit: 2024/05/07 08:07:01 (UTC+8)

IRFIBE30G Datenblatt-PDF (5 Seiten)

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International Rectifier

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IRFIBE30
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IRF

Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3Ω, Id=2.1A)

IRFIBE30GPBF
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VISHAY

TO-220-3 N-CH 800V 2.1A 3Ω

IRFIBE30GPBF
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IRFIBE30GPBF
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MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP

IRFIBE30GPBF
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International Rectifier

HEXFET POWER MOSFET

IRFIBE30G
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International Rectifier

HEXFET power MOSFET. VDSS = 800V, RDS(on) = 3Ω, ID = 2.1A

IRFIBE30G
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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP

IRFIBE30G
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Vishay Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3Pin(3+Tab) TO-220FP

IRFIBE30GPBF
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Vishay Intertechnology

Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 800V, 3Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, PLASTIC, TO-220, FULL PACK-3

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