IRFD014PBF Datenblatt-PDF - Infineon

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IRFD014PBF Dokumente

IRFD014PBF Anderes Datenblatt

Infineon

9 Seiten, 2022 KB

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP

VISHAY

MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP

Vishay Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP

VISHAY

HVMDIP-4 N-CH 60V 1.7A 200mΩ

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP

Vishay Semiconductor

VISHAY IRFD014PBF MOSFET Transistor, N Channel, 1.7A, 60V, 200mohm, 10V, 4V

Vishay Intertechnology

Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 60V, 0.2Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, DIP-4

Vishay Precision Group

MOSFET; Power; N-Ch; VDSS 60V; RDS(ON) 0.2Ω; ID 1.7A; HD-1; PD 1.3W; VGS +/-20V; Qg 11

Infineon

Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 4Pin HVMDIP

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2N5401 1N5817 TXB0104PWR 1N5401 74HC541D,653 RN4020-V/RM123 CC1000 IR2010PBF TUSB2036VFR OPA1602AIDR

TSB611IYLT PIC16C62A-20E/SP MURS160 ADS6142-HT UC3543DWTR MCP100-475DI VCA8500_0803 PCM1717EG4 FXL4TD245UMX ADP3338AKCZ-5

Dokumentationen zuordnen: IRFD014 Datenblatt PDF

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