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IRF9610SPBF Datenblatt-PDF - Vishay Siliconix

Hersteller:
Vishay Siliconix
Kategorie:
MOSFET, MOSFET Transistor
Fallpaket:
TO-263-3
Beschreibung:
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
Dokumentation:

IRF9610SPBF Anderes Datenblatt (10 Seiten) heiß

Aktualisierte Zeit: 2024/05/29 07:00:25 (UTC+8)

IRF9610SPBF Datenblatt-PDF (10 Seiten)

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IRF9610SPBF Dokumente

IRF9610SPBF Anderes Datenblatt

Vishay Siliconix

10 Seiten, 197 KB

IRF9610 Datenblatt-PDF

IRF9610
Datenblatt PDF

VISHAY

TO-220AB P-CH 200V 1.8A

IRF9610
Datenblatt PDF

International Rectifier

-200V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package

IRF9610
Datenblatt PDF

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB

IRF9610
Datenblatt PDF

Vishay Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3Pin(3+Tab) TO-220AB

IRF9610
Datenblatt PDF

Vishay Intertechnology

Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,

IRF9610
Datenblatt PDF

IRF

Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3Ω, Id=-1.8A)

IRF9610PBF
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VISHAY

TO-220-3P-CH 200V 1.8A 3Ω

IRF9610SPBF
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VISHAY

TO-252-3P-CH 200V 1.8A 3Ω

IRF9610SPBF
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Vishay Semiconductor

VISHAY IRF9610SPBF MOSFET Transistor, P Channel, -1.8A, -200V, 3Ω, -10V, -4V

IRF9610SPBF
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Vishay Siliconix

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