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IRF9520 Datenblatt-PDF - Samsung

  • Hersteller:
    Samsung
  • Fallpaket:
    SFM
  • Beschreibung:
    Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
  • Dokumentation:
    Abmessungen des Paketumrisses  on Seite 8
Aktualisierte Zeit: 2024/05/30 20:06:51 (UTC+8)
IRF9520 Datenblatt-PDF (9 Seiten)
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IRF9520 Dokumente

IRF9520 Datenblatt PDF
Samsung
9 Seiten, 101 KB
IRF9520 Anderes Datenblatt
Samsung
6 Seiten, 174 KB
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