IRF610PBF Datenblatt-PDF - VISHAY

IRF610PBF Datenblatt PDF

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IRF610
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International Rectifier

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package

IRF610
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MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB

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Intersil

Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3Pin(3+Tab) TO-220AB

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB

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Harris

MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB

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Vishay Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3Pin(3+Tab) TO-220AB

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Fairchild

Trans MOSFET N-CH Si 200V 2.5A 3Pin(3+Tab) TO-220AB

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Motorola

2.5A, 200V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

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Samsung

Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.58ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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National Semiconductor

TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,3.3A I(D),TO-220AB