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IRF530 Datenblatt-PDF - Infineon

Hersteller:
Infineon
Beschreibung:
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3
Dokumentation:

IRF530 Datenblatt PDF (11 Seiten) heiß

Abmessungen des Paketumrisses on Seite 8 Seite 9

Aktualisierte Zeit: 2023/11/24 17:22:41 (UTC+8)

IRF530 Datenblatt-PDF (11 Seiten)

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Technische Daten

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Elektrische Spezifikation

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