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IRF510 Datenblatt-PDF - Samsung

Hersteller:
Samsung
Kategorie:
MOSFET, MOSFET Transistor
Fallpaket:
SFM
Beschreibung:
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

Aktualisierte Zeit: 2023/07/14 04:57:41 (UTC+8)

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