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IPP200N15N3G Datenblatt-PDF - Infineon

Hersteller:
Infineon
Kategorie:
MOSFET, MOSFET Transistor
Fallpaket:
TO-220-3-123
Beschreibung:
OptiMOS3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Dokumentation:

IPP200N15N3G Datenblatt PDF (12 Seiten) heiß

Aktualisierte Zeit: 2023/11/15 22:10:40 (UTC+8)

IPP200N15N3G Datenblatt-PDF (12 Seiten)

Beschreibung der Funktionen

Elektrische Spezifikation

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IPP200N15N3G Dokumente

IPP200N15N3G Datenblatt PDF

Infineon

12 Seiten, 994 KB

IPP200N15N3 Datenblatt-PDF

IPP200N15N3GXKSA1
Datenblatt PDF

Infineon

TO-220 N-CH 150V 50A

IPP200N15N3G
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Infineon

OptiMOS3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

IPP200N15N3 G
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Infineon

The IPP200N15N3 G is a 150V N-channel Power MOSFET that achieves a reduction in RDS (on) of 40% and of 45% in Figure of Merit (FOM). The OptiMOS™ MOSFET offers high system efficiency and industry's lowest RDS (on) within the voltage classes. It is ideally suited for high frequency switching applications and optimized technology for DC-DC converters.

IPP200N15N3GHKSA1
Datenblatt PDF

Infineon

TO-220 N-CH 150V 50A

IPP200N15N3GXK
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Infineon

TO-220 N-CH 150V 50A

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