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IKW75N65EL5 Datenblatt-PDF - Infineon

Hersteller:
Infineon
Kategorie:
IGBT Transistor, IGBT Module
Fallpaket:
TO-247-3
Beschreibung:
Infineon’s new L5 low saturation voltage (V CE(sat)) TRENCHSTOP™ IGBT family has been specifically optimized for low switching frequencies ranging from 50Hz to 20kHz. Optimization of the carrier profile of the innovative 55µm TRENCHSTOP™ 5 thin wafer technology allows to reduce conduction losses to the intrinsically low level – 1.05V for 30A IGBT and 1.1V for 75A IGBT.
Dokumentation:

IKW75N65EL5 Datenblatt PDF (16 Seiten) heiß

IKW75N65EL5 Benutzerreferenzhandbuch (270 Seiten)

IKW75N65EL5 Anwendungshinweis (29 Seiten)

Aktualisierte Zeit: 2023/11/28 15:13:54 (UTC+8)

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IKW75N65 Datenblatt-PDF

IKW75N65EL5XKSA1
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Infineon

Infineon’s new L5 low saturation voltage (V CE(sat)) TRENCHSTOP™ IGBT family has been specifically optimized for low switching frequencies ranging from 50Hz to 20kHz. Optimization of the carrier profile of the innovative 55µm TRENCHSTOP™ 5 thin wafer technology allows to reduce conduction losses to the intrinsically low level – 1.05V for 30A IGBT and 1.1V for 75A IGBT.

IKW75N65ES5XKSA1
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Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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650V DuoPack IGBT and full-rated diode High speed series fifth generation

IKW75N65EL5
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Infineon

IKW75N65EH5XKSA1
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Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube

IKW75N65ES5
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