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IGB10N60T Datenblatt-PDF - Infineon

Hersteller:
Infineon
Kategorie:
IGBT Transistor, IGBT Module
Fallpaket:
TO-263-3
Beschreibung:
Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3Pin
Dokumentation:

IGB10N60T Datenblatt PDF (12 Seiten) heiß

IGB10N60T Benutzerreferenzhandbuch (270 Seiten)

IGB10N60T Anwendungshinweis (48 Seiten)

Aktualisierte Zeit: 2023/11/29 01:19:48 (UTC+8)

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48 Seiten, 2052 KB

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